双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究.pdfVIP

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2015-08-18 发布于重庆
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双槽电化学腐蚀法制备多孔硅的研究.pdf

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296 V ol . 29 N o. 6 200712 P IEZOEL E CT E CT RICS A CO U ST O OP T ICS Dec. 2007 :( 2007) 0607400 3 张萍, 娄利飞, 柴常春, 杨银堂 ( , , 7 1007 1) : , , ( SEM ) , , , , : ; ; : T N304 . 05 : A Study on Preparing Porous Silicon by Doublecell Electrochemistry Etching ZHANG Ping, LOU Li ei, CHAI Changchun, YANG Yintang ( K ey Lab. o M in ist ry o Educat ion or W ide Bandgap Sem iconduct or M aterials an d D evices, X ian U niversit y o E lect ron ic Sicience and T echn ol ogy , X ian 7 1007 1, China) Abstract: T he characterist ic and prepa ring o poro us silicon w ere discu ssed . T he por ou s silicon w as success ully pr epar ed by doublecell electr ochemical etching. T he SEM pho tos o por ou s silicon pr epar ed by do ublecell electr o chemical etching w ere o bserv ed. T he results show t hat the poro us silicon obtained by this method has the smaller ho le diameter , go od uni o rmit y, o rdered etching str ucture. T he ty pe o substr ate a ect the co ndit ion o the por ou s silico n preparat ion . Key words:sacr i ice; por ou s silico n; do ublecell elect rochemical etching , Si , , [ 2] , N P ( SiO2 ( P SG) A l) , , , , ( 1) , , , , ( 2) , , , , ( CM OS) , ; ( 3) , [ 1] , ; , , , ( , 50 nm) , ( MEM S) , ; , , , , MEM S , , ; 1 多孔硅的特点及