美科学家开发出新型纳米药物传输系统.pdfVIP

科 仅 循 思 Sciencean drechn010 Inform ation … … 一 … … — … … … … … … … 光被侧面连续反射，沿着螺旋路径射入底 面 ，然后耦合到硅 中。 警 常瑞华教授课题组的实验研究表 明，激光 器可 以在硅上生长 ，这是迈 向光互连用激光 器 的关键一步。但是 ，要使该技术走 向实用 在硅 化 ，还有很多工作要做 ，其 中挑战之一是实 现芯片光互连所 需的电泵浦激光器 。 目前 ， 该研究小组 已经展示 了具有 内部连接 的纳米 柱LED。 目前该项技术面临的另一个挑战是： 美 国加州大学伯克利分校常瑞华教授课题 InGaAs激光器输 出的950nm激光在硅 中具有 组成功地在硅上生长 出了纳米柱 III—V族半 较强的传输损耗 。磷化基激光器输 出的长波 导体激光器 ，这一成果为光子学与 电子 电路 长激光在硅 中的传输距离远远超 出1100nm。 的集成提供 了新方法 。之前 ，在硅上生长激 该研究小组表示，通过优化生长技术 以加入 光器面临的障碍主要来 自以下两方面： (1) 更多的铟 ，可 以将激光器的输 出波长延长 。 硅工艺和III-V族半导体工艺处理温度不兼 到 目前为止，该研究小组只在硅上生长激 容 ； (2)硅 晶体和III—V族 晶体不匹配 。常 光器 ，但实 际应用需要在 已经具有CMOS电路 瑞华教授课题组成功地克服 了这两项技术难 的硅芯片上制备激光器 。 目前纳米柱 的生长 题 。 温度是400℃ (远低于一般III．V族半导体工艺 实现激光器和硅基 电子器件的集成 ，对于 的处理温度 )，与CMOS工艺 的处理温度兼 未来 的高性能计算至关重要 。芯片上多个处 容 。 理器 内核之间、电路板上多个芯片之间的光 尽管还有许多问题有待解决，但常瑞华教 互联 ，可 以提供 的信号传输速度远远高于 电 授课题组对此项 目仍持乐观态度 。在硅上直 互连 。硅可 以制作成硅波导和硅探测器 ，但 接生长纳米柱激光器 ，不但可 以提供更小的 是 由于它缺乏直接带隙，因此不能制作硅半 尺寸 ，而且能够实现更大 的可扩展性 ，因而 导体激光器 。 目前研究人员正致力于将III—V 特别适合应用在高密度子学领域 。研究人员 族半导体激光器和硅技术结合起来 。