宁波材料所在新型双电层薄膜晶体管领域取得新进展.pdfVIP

科 _t又1罱思 SC nceandrechno o YIn rmat1on … … 明了一种基于单个金属掩膜 的 自组装绕射技 中国科学院深圳先进技术研究院张春阳研 术 ，一次薄膜沉积过程 即可巧妙地完成器件 究员领导的课题组在 中国科学院知识创新工 的源／漏、两个侧栅和沟道薄膜沉积。 程重要方 向性项 目、国家重点基础研究发展 图l(a)双侧栅薄膜 晶体管的结构和工艺示 计划 (973计划)、国家 自然科学基金项 目的 意图显示，利用磁控溅射沉积ITO源 、漏和双 资助下，在一维聚吡咯有序合成研究领域获 侧栅 电极时，保持金属掩模版和衬底 间特定 得新进展。该研究小组采用一种巧妙 的技术 的距离，ITO会绕射并 自组装到源／漏 电极间， 路线，以纳米级孔道为 “分子烧杯 ”，分步 引入氧化剂与单体 、参 比优化聚合环境 ，成 形成一层薄薄 的沟道 。图l(b)显示 的是该器件 功实现 了吡咯单体在含纳米孔 的金属有机框 的光学显微照片，器件 的共平面双侧栅和 自 架 中的高度有序聚合 。 组装沟道都可 以很清楚地观察到。图2显示 的 该小组在世界上率先使用含有仅lnm大小 是器件 的第二个侧栅 电极偏置 电压对该薄膜 一 维孔道 的金属有机框架为模板 ，利用含芳 晶体管转移 曲线的影响。当第二共面栅极 电 香环结构的孔壁精确控制着吡咯单体分子的 压偏置从3V变到一2V时，器件的阈值 电压随之 进入和定位 ，使获得 的一维聚合物拥有完美 从一0．55V变化No．76V，实现 了器件从典型 的 的单分子链形貌 ，且其导 电率 比分支型的二 耗尽型模式 向增强型模式的转变。 维或三维聚吡咯提高了5个数量级，制备的一 该类共平面双侧栅双 电层薄膜 晶体管具有 维纳米级导 电高分子线有望在纳米元件 、纳 工艺步骤简单、超低压工作等特点，在低成 米传感器、分子机器等器件中获得应用 。 本便携式传感器领域具有重要应用价值 。 (深圳先进技术研究院) (宁波材料技术与工程研究所 ) 硅基磁电阻研究 深圳先进院一维导 电 取得新进展 聚合物研 究取得新成果 清华大学材料科学与工程系章晓中教授近 日在 《自然》上发表 了有关硅基磁 电阻研究