四面体非晶碳作为薄膜声表面波器件增频衬底的研究.pdfVIP

面 居 入UthoitYFOrum 的主要来源 。还有 ，多晶金刚石在切割过 电势 的通解如下： 程 中产生的微裂纹将会导致频率失真、插损 增大等器件品质下降 ”。再有 ，CVD法沉积 的 ： ∑6c p{u，[∞卜r(t+ + )】) (4) 多晶金刚石薄膜制备温度高(界面温度一般在 ： ∑60L；)exp{jm[f—(x。+，：+l~n)x3)]) (5) 600℃以上)、先驱体离解后对衬底腐蚀性强， 且难 以制备大面积厚度均匀 的金刚石薄膜 (目 其 中，C为弹性刚度常数 ， 为波的振 前多晶金刚石薄膜 的最大尺寸不超过 4”)， 幅，l1为波传播的方向余弦。如式(6)和 (7)所 这些 因素都制约了多晶金刚石作为薄膜声表 ,2,3 示 ，∞和K分别为角频率和波数 。 面波器件增频衬底 的应用n。 但是非晶金刚石却可以克服化学气相沉积 0)=2rtf (6) 金刚石 的这些缺点。采用过滤阴极真空 电弧 K =2兀／九 (7) 技术能够在室温下获得大面积(300mm)且具 对ta—C增频衬底而言，声表面波传播状态 有光滑表面 (R05nm)的四面体非晶碳薄膜 方程如式(8)和(9)所示 ： fta—C)。由于高 比例 的四配位杂化组成 ，ta— C薄膜具有许多能与金刚石晶体相媲美 的优异 = ∑ 一C](Lt exp{jm[t—K(1。。+，x+ ) = l 性能，如高弹性模量使其具有 比其它类金刚 (8) 石更快的声传播速度 。另外，由于非晶态特 6 、 ～ ： ∑c～~aC(n)exp{jm[t—K(I+f2+ )】} 性，也避免 了因晶界而产生的散射损失。为 H=1 此，本文将ta—C薄膜用作薄膜声表面波器件的 (9) 压电材料衬底，采用IDT／ZnO／ta—C／Si形式的层 根据上述IDT／ZnO／ta—C／Si层状结构的机械 状结构 ，通过解析声表面波传播状态方程进 和 电学边界条件 ，代入密度 、弹性常数、压 行结构设计 ，以期获得增频效果。 电常数、介 电常数等材料常数 ，，解析方 2Zn0／ta—C／Si层状结构 中声表面的特性 程 ，从而