铜纳米线薄膜可显著降低电子设备成本.pdfVIP

43业 lm思 InduStrYlnf0rmati0n 于在微观尺度上开展研究，同时也避免 了杂 科学家构建可折叠 的电子产 品并提升太 阳能 质原子环绕及 多晶材料所造成 的误差 。 电池的性能，目前 已进入商业制造阶段。 当研 究人员用光照射铋铁酸盐薄膜 时， 该校的化学家本 ·威利及其学生亚伦 · 获得 了比材料本身的带隙电压高很多的电 莱斯梅尔开发 出的这种新技术可在水 中 “管 压 ，说 明光子可释放 电子 ，并在畴壁上形成 理 ”铜原子 ，并形成长而薄但不聚集凝结分 空穴，这样 即使没有半导体 的P．N结构 ，也可 布 的纳米线 。这种纳米线随后可转变成透 明 形成垂直于畴壁 的电流 。通过各种试验 ，研 的导电薄膜 ，覆盖于玻璃或塑料之上 。这项 究人员确定畴壁在提高 电压上具有十分重要 新 的研究表 明，铜纳米线薄膜与 目前用于 电 的作用 。据此他们开发 出一种模型 ，可令极 子设备和太阳能 电池上 的薄膜具有相 同的特 性相反 的电畴制造 出多余 的电荷 ，并能传递 性，但制造成本却可显著降低 。 到相邻 的电畴 。这种情况有点像传递水桶 的 IT0薄膜 的替代方法之一是使用含银纳米 过程 ，随着多余 电荷不断注入锯齿状相邻的 线的油墨。今年 ，第一款屏幕 由银纳米线制 电畴，电压可逐级显著增加 。 成的手机将会面市。但银与铟类似 ，仍然十 在畴壁 的两侧 ，由于 电性相反，就可形 分 昂贵，每千克价格可达1400美元 。而相 比 成 电场 ，使载 电体分离 。在畴壁 的一侧 ，电 之下 ，铜 的含量十分丰富，可 比铟或者银充 子堆积 ，空穴互相排斥 ；而另一侧则空穴堆 足一千余倍 ，价格也要便宜大概1O0倍 ，每千 积 ，电子互相排斥 。太 阳能 电池之所 以会损 克仅为9美元。 失效率 ，是 由于 电子和空穴会迅速结合 ，但 研 究小组制成 的铜纳米线还在弯折次数 是这种情况不会在铋铁酸盐薄膜上 出现 ，因 上有 了较大突破 ，在来回弯 曲l000次 以后 ， 为相邻 的电畴极性相反 。根据 同性相斥 ，异 其仍能保持传导性和形状 。与此相 比，ITO薄 性相吸的原理 ，电子和空穴会沿相反 的方 向 膜的传导性和结构在几次弯折后就会损坏。 运动 ，而 由于 电子的数量远超空穴 的数量 ， 柔性铜纳米线低成本 、高效能的特性 ， 所 以多余 的电子会溢出到相邻的电畴。 使其成 了下一代显示器和太 阳能 电池 的 自然 铋铁酸盐薄膜本身并不是一种很好 的太 选择 。随着此项技术 的不断发展 ，未来 的显 阳能 电池材料 ，因为它只对蓝色和近紫外线 示器将更加轻薄 、可靠 ，太 阳能也将 比化石 发生反应 ，而且在其产生高 电压 的同时，并 燃料等更具竞争力。 (科技日报) 不能产 生足够高 的 电流 。但是研 究人员确 信 ，在任何具有锯齿状结构的铁 电材料 中， 类似的过程也会发生 。 目前研 究人员正在调查和研究其他更好 英将石墨烯聚光能力提高20倍 的替代材料 。他们相信 ，该技术如果应用于 新技术可广泛运用于下_代光电设备中 太 阳能 电池 ，将使太 阳能 电池产生较高的电 流 ，并能大幅提升太 阳能 电池 的效率 ，有望 英 国科学家表示，他们对石墨烯 的最新研 生产 出性能强大