掺氮氧化锌薄膜的制备和p型转变的研究.pdfVIP

掺氮氧化锌薄膜的制备和P型转变研究 摘要 ZnO是一种直接带系半导体化合物，其室温禁带宽度为3．37eV，激子束缚 气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光 波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换、表面声波元件、微传感器以 及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途。但是未掺杂ZnO薄膜由于其本征缺 陷造成的化学计量比失衡特别是氧空位(vo)和锌间隙原子(Zni)使其成为天然的 n型半导体。而理论计算预言了氮元素可以在ZnO薄膜中形成浅的受主能级， 进而实现P型导电。 本文主要采用了射频磁控溅射法制备氮掺杂ZnO薄膜，同时在成功制备氮 掺杂ZnO薄膜的基础上又采用在基片上施加偏压的方法制备了氮掺杂ZnO薄 膜，并对两种氮掺杂ZnO薄膜晶体结构，表面形貌，导电率等相关物理性能进 行了分析。主要内容如下： 第一章简述了氮掺杂ZnO薄膜的研究背景及意义，介绍了有关ZnO薄膜 的晶体结构、制备方法、缺陷、应用和产业化前景以及国内外相关的一些研究 概括。 第二章首先介绍了磁控溅射的发展和原理，叙述了薄膜的沉积过程，并综 述了氮掺杂ZnO薄膜的表征技术。 第三、四章主要介绍了以射频磁控溅射方法制备Z