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集成电路Cu互连扩散阻挡层的研究进展_陈海波.pdf
8 2006 12 20 12
Cu *
陈海波, 周继承, 李幼真
( , 4 10083)
简要介绍了集成电路的发展趋势及其带来的相关问题 解决办法综述了国内外对Cu 互连扩散阻挡
层的制备方法与工艺阻挡层的选材阻挡层薄膜的特性等最新研究的进展评述了该领域的发展趋势及可能的影响
因素
Cu
Development of Dif fusion Barrier f or Cu Interconnection in ULSI
CHEN H aibo, ZHOU Jicheng, LI Youzhen
( School of Physics Science an Technology, Central South University, Changsha 410083)
Abstract T he evelopment tren s of integrate circuit, an its relate problems an solutions are briefly e-
scribe .T hen, the preparation metho an process, selecting of iffusion barrier materials, thin-layers properties an so
on about the Cu interconnectiion iffusion barrier at home an abroa are review e . Finally , the comments on the evel-
opment tren s an its possible influence factors of this fiel are given.
Key words integrate citcuit, Cu interconnect ion, iffusion barrier, barrier property
[ 3]
, Cu Al , 40% ,
0
k SiO , 50% , Cu/
2
, k 4 Cu Si
, , , Cu ,
[ 1]
, , ;
IC ( 1) , Cu
R C RC Cu ,
, , Cu
( k ) ( Chemical Mechanial Polis-
[2]
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