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庹朝永 : IDDQ 测试方法及发展 　　　35 　　　　　 IDD Q 测 试 方 法 及 发 展 The Test Met hod and Development of IDDQ Test 庹朝永 ( ) 湖南机 电职业技术学院 ,湖南 长沙 4 1015 1 摘 　要 :本文介绍了 IDDQ 电流测试方法的基本原理 , IDD Q 测试在集成电路测试系统上的实现方法 。现在 IDD Q 电流测试成为 CMO S 电路故障检测 的重要项 目, 已广泛用于测试功能测试不能发现的制造过程所产生的故障 。以及随着深亚微米技术出现 ,IDDQ 测试受到严峻的挑战 。 关键词 :测试技术 ; CMO S 电路 ;深亚微米技术 ;IDD Q 测试 1 　IDD Q 测试原理 测试 集可 以获得 较大 的故障覆盖 。使用多故障模型 , CMO S 电路具有低功耗 的优点 ,静态条件下 由泄漏 IDD Q 测试能够快速定位故障 。传统测试方法假定逻辑 门 电流 引起 的功耗可 以忽略 ,仅在转换期间电路从 电源消 级故障均发生在节点 ,实际故障并不一定符合该模型 ,但 耗较大 的电流 。电源电压用 VDD 表示 , Q 代表静态 ( ui2 是仍然可 以使用 IDD Q 测试方法完成 , 比使用伪 固定故障 escent ) ,则 IDDQ 可用来表示 MO S 电路静态时从 电源获 模型的故障覆盖率要高 。在测试短路故障时 , IDD Q 测试 取 的电流 ,对此电流的测试称为 IDD Q 测试 。一个数字 IC 要优于基于电压测试方法 。 可能包含上百万个 晶体管 ,这些 晶体管形成不 同的逻辑 传统 的集成 电路 测 试技 术 已经 无 法有 效 地测 试 门 ,不管这些 门电路形式和实现功能如何 ,都可 以把它们 CMO S 集成电路中许多失效模式 。一般来说 ,诸如栅氧 用一个反相器的模型来表达 。IDD Q 测试基本原理可 以通 ( ) ( ) 化短路 gat e oxide short 、桥接故障 bridgin g fault 、开路 过反相器 电路来解释 ,如图 1 (a) 。当输入稳定且 电路无 ( ) ( ) 故障 op en fault 、固通故障 st uck on fault 、操作感生故 故障时 , 由于 V DD 至地之 间没有直接通路 , V DD 至地之间 障(oper ation induced fault ) 、寄生装置 、PN 结漏 电以及反 ( ) ( 的静态电流很小 ,如 图 1 b 。如果反相器 出现故障 例 常的过高接触阻抗等 ,可能并不表现为逻辑故障 ,因此无 如 ,栅氧化层短路 ,如图 1(a) ,两个 晶体管均处于导通状 法使用监测输 出逻辑电平的传统逻辑测试来检测 。但是 态 , 电源与地之 间形成 了一条通路 ,有较大 的 IDD Q 电流 IDD Q 测试是面向电流 的 , 因此 ,可 以检测这些故障 , 即在