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一般工业技术
维普资讯
第 3卷第 5期 纳米加 工工艺 Vo1．3 No．5
2006年 10月 Nano-processingTechnique October 2006
纳米晶粒受控生长抑制PZNT
铁电薄膜中异相形成
万尤宝 ，一， 张建新 ， 袁国祥 ， 杨培志。， 杨 辉
(1．浙江大学材料与化工学院， 浙江 杭州 300200)
(2．嘉兴学院先进材料研究所， 浙江 嘉兴 3140017)
(3．云南昆明物理研究所 ， 云南 昆明 6502237)
摘 要：在LaAIO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)~l-底以及SrTiO3(001)／PZT(001)种膜上用液相外延
方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明：在LaA103(001)基片PZNT晶粒以三维岛状 自发生长，薄膜
中有大量的焦绿石异相；在MgO(001)和Sr1riO3(001)4~-底上，为三维岛状异质外延生长，薄膜中焦
绿石异相几乎消失；引入[OO1]取向的PZT种膜后，岛状三维生长变为二维生长。显著改善了外延
膜的质量，获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒
的发育、克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
关键词：铁电薄膜；晶粒；种膜；液相外延
TheControlledGrowthofNanogradeGrain
RestrainingtheForm ofDisparatePhase
WANYou—bao，一， ZHANGJian—xin， YUANGuo—xiang2，
YANG Pei—zhi0． YANG Hui
(1．CollegeofMaterialandChemicalEngineering，ZhejiangUniversity，Hangzhou 300200，China)
(2．InstituteofAdvancedMaterial，JiaxingUniversity，Jiaxing 314001，China)
(3．KunmingInstituteofPhysics，Kunming 650223，China)
Abstract：ByLPEtechnique；PZNTfilmswereproducedonthesubstratesofLaA103(001)，MgO(001)，SrTiO3(0O1)and
SrTiO3 (001)／PZT ，(001)wafer．Theresultsshowedthattherewereseriouspyrochlore inclusionsinthePZNTfilm
obtainedfromtheLaA103(001)substrate，andthePZNTgrainsweregrownupspontaneouslybyisolatedinsularme~odin
threedimension，Th egrainswerergownupinheterogeneousepitaxymethod，andthepymcMore inclusionswerealmost
disappearedinthePZNTfilmformedonthesubstrateofMgO (001)andSrTiO3(OO1)．Andthecompletedfilmwere
obtainedontheperfectPZT (001)waferintwodimension．Theinfluenceoftheorientationofsubstrateonthefomr of
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