纳米射频CMOS混频器的研究.pdfVIP

维普资讯 第4卷第6期 纳米器件与技术 Vo1．4 No．6 2007年 12月 Nanodevice＆ Technology Deeember 2007 纳米射频 CMOS混频器的研究 夏华灿 ，’张流强 ， 王国波 (1．重庆大学光 电学院微系统中心， 重庆 4ooo44) (2．重庆大学光电技术及系统教育部重点实验室， 重庆 400044) 摘 要：介绍了混频器的工作原理、性能指标及几种重要的混频器结构。设计 了以Gilbert型为核 心的双端差分对混频器，使用TSMC的 0．181xmCMOS工艺库 ，本振信号为 2．25GHz，射频信号为 2．5GHz；借用安捷伦公司的ADS软件模拟，模拟结果变频增益为一10dBm，双边带噪声为58．6dB， 输入 ldB压缩点为 1ldBm，同时端 口隔离度也比较高。该混频器适用于中高频段 的发射机。 关键词：RFIC；混频器；集成 电路 ；CMOS DesignoftheRF COMSM ixer XIA Hua—can， ZHANGLiu—qiang0， WANG Guo—bo (1．MicroSystemCenterofChongqingUniv．，Chongqing 400044， China) (2．Opto-electronicTechnologyandSystemsofChongqingUniv．，Chongqing 400044，China) Abstract：Basicoperatingprinciple，performanceofCMO S mixerandsomekindsofmixerstructureareintroduced．A twoportdifferbalancedmixerbasedontheGilbert cellisdesigned．Thismixerwasfabricated usingaTSMC 0．18x／m CMOStechnology．TheLO andRFfrequencyis2．25GHzand2．5GHz．simulatedwiththeADSsoftware．Thedescribed mixerhasachievedaconversiongainof-10dB，doublesidenoisefigureof58．6dB，1dB compressionpointof11dBm， alsohasahighportIsolation．Thedescribedmixerisusedforthemiddleorhighfrequencytransmitter． Keywords：RFIC，mixer，IC(integratecircuit)，CMOS 中图分类号：TN303 文献标识码 ：A 文章编号：1812—1918(2007)06—0024—04 0 引言 常成熟，150nm工艺的特征频率已经达到 80GHz。 而采用纳米 CMOS工艺设计射频集成电路 RFIC 为了用电磁波将有用信息传播到 目的地，无 (radiofrequencyintegratedcircuits)也 已经成为现 线通信要求把含有信息的基带信号搬移到适合电 实。 磁波传播的频带上，这种实现频谱搬移的功能就 称为混频，实现混频的装置就叫混频器。现代射频 l 纳米混频器的设计 系统中，混频器是它的核心部分。混频器的实现是 1．1 混频器的工作原理 从双极技术开始的，现在的研究方 向主要以CMOS 方式实现混频。CMOS技术与双极技术相比，其非