亚100nm+NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究.pdfVIP

维普资讯 第 3期 纳 米 科 技 No．3 20o6年 6月 Nanoscience＆Nanotcehnology June 20o6 亚 lOOnmNMOSFET的沟道反型 层量子化效应研究 贺永宁， 李宗林， 朱长纯 (西安交通大学电信学院， 陕西 西安 710049) 摘 要 ：介绍 了CMOS技术发展 到亚 100nm 所面 临的挑战 。针对尺 寸量子化 效应 ，建立 了 NMOSFET的反型层 电子量子化模型 。分析 了反型层量子化效应对 NMOSFET器件参数包括有效 栅氧厚度 、阈值电压等的影响。得 出结论 ，反型层量子化效应致使反型层 电子分布偏离表面，造成 有效栅氧厚度 的增加 。阈值 电压的波动达到约 10％。 关键词 ：亚 10OhmCM0S；沟道反型层量子化 ；栅氧厚度；阈值 电压 StudyforQuantum MechanicalEffectsoftheInversionLayer ElectronsofSub-100nm NM oSFET Structure HEYong-ning， LIZong-lin， ZHUChang-chun (XianJiaotongUniversity，Xian 710049，China) Abstract：Startingwith abriefreview on thekeychallengesin furtherscalingofCMOStechnologyinto sub-100nm region in lightoffundamental physical effectsand practical considerations．Theanalytical solution ofSchrodinger equation，i．e theAiry functioin，wasadopted to calculated the sub-handsdiscrete energy levelsand the electron distributingin theinversionlayer．Consideringthedepletioneffectinpoly-silicon andthemultipleenergyvalleysin substrate，thecalculatingresultsaccordingthequnatum mechnaical effectsshow htatelectronsinhteinversionlayerare distributed awayfrom theinterface，which resultsin theboth increasingofhteeffectivegate oxide thicknessandhte thresholdvoltageofNMOSstructure．Th evoltagefluctuationisupto10％． Keywords：sub一100nm CMOSdevices；thequantum mechanical effects；theeffectivegateoxidehtickness；thehtreshold voltage 中图分类号 ：TN4 文献标识码 ：A 文章编号 ：1812—1918(2006)03—0003—04 0 引言 频率 2．8GHz；估计 20o7年左右单片集成 电路上 晶体管数量可以达到 10 ”。表 1是