亚纳米级孔隙三维图像首次获得.pdfVIP

意美联合研发高效有机发光敏晶体管 揭示信息技术进步速度的摩尔定律是由英特尔 (Inte1)~Jt始人之一戈登 ·摩尔 (GordonMoore)提出来 近 日，意美科学家联合研制出新 的有机发光敏 的。其指出当价格不变时 ，集成 电路上可容纳的晶体 晶体管 (OLET)，其发光效率是采用相 同发射层的优 管数 目，约每 隔 18个月便会增加一倍 ，性能也将提 化有机发光二极管 (OLED)的2倍 。相关研究成果发 升一倍 。 表在近期的 《纳米 ·材料学》杂志上 。 为了不断提高半导体 的性能 ，科学家开始引入 这一新 OLET由意大利纳米材料研究院拉法艾 低介电常数材料 以取代二氧化硅。低介电常数材料 拉 ·卡佩里领导 的研究团队和美 国保尔佳公司的研 通过降低集成 电路 中使用 的介电材料 的介电常数 ． 究人员合作研制 ，其发光效率达到 了5％。而迄今为 可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电 止基于荧光发射设备的OLED的最大发光效率仅为 容效应 ，降低集成 电路发热等等。低介 电常数材料的 2．2％。 研究通常是同高分子材料密切相关的．这些材料具 研究人 员将新研发 的 OLET称为三层场效应 有非常复杂的孔隙结构。掌握这些分子水平 的孔隙 OLET，因为其 由三层有机半导体材料组成 ：最上面 结构 ，将对未来集成电路的设计产生深远的影响。 是 15nm厚的P沟道层 ，控制光通过 的量 ：中间是 负责该研究工作的康耐尔大学物理应用工程系 40nm厚的发光层 ，在接通 电力时会发光 ，是激子形 教授戴卫 ·穆勒表示 ，如果说二维图像抵得上 “千言 成 的区域 ；底层是 7nm厚 的n沟道层 ，主要用来传 万语”的话 ，利用复杂的计算机软件将一系列二维图 导电子 。这 个半导体层被放置在一个三层 的玻璃 像转变成为三维图像的意义就更为巨大——这不仅 基座上 可以为半导体工业提供新 的视角 ，还可以在低介电 这样的三层结构使形成光和发射光的区域都离 常数材料应用方面产生许多新的技术节点。随着人 电极足够远 ，在 电极上不再会 出现光子损失 ，也阻止 们对亚纳米级孑L隙结构的深入了解 ，将会更好地控 了激子一金属湮灭效应 。另外 ，发光区域与 电荷的流 制低介 电常数材料化学稳定性 、可靠性及其工作性 动分离开来 ，不会 出现激子一金属湮灭效应 ，因此 ，研 能。科学家认为，这一技术的公布，表明人们对于低 究人 员也将这个 i层 的 OLET称 为 “不接触 的 介 电常数材料三维孔隙结构的研究开始逼进原子级 OLED”。 别 。 研究人员预计 ，随着进一步对该 OLET调整 ，新 来源 ：《科技 日报》 OLET的发光效率将能够进一步得到提高 ．将来或 许有望在显示和照明领域取代 OLED。 锡纳米粒子量子壳效应被证实 意大利纳米材料研究院的迈克尔 ·穆斯里表示 ， OLET是一种新的发光概念 。它提供 的光源能够与 德国斯图加特的马普固体研究所专家利用隧道 硅 、玻璃 、塑料 、纸等天然物质基座相结合。他们 的设 扫描显微镜研究锡纳米粒子证实 ，金属粒子的电阻 备提供微米大小的光源 ，将使得生物传感芯片以及 损耗与粒子大小有关 ，当金属粒子呈纳米状态 时，材 高清显示技术等有机光子应用成为可能 。 料获得超导性能的温度会