液位沉降法制备AZO薄膜及其光电性能研究.pdfVIP

第 9卷第 6期 纳米加 工工艺 Vo1．9No．6 2012年 12月 Nano—processingTechnique December2012 液位沉降法制备AZO薄膜及其 光电性能研究 殷天兰，高德文，武光明，丁尧，周洋 (北京石油化工学院，北京 102617) 摘 要 ：以二水 乙酸锌为原料 ，乙二醇甲醚和无水 乙醇为溶剂 ，乙醇胺为稳定剂 ，六水合氯化 铝为掺杂剂，合成AZO前驱液，采用 自制的液位沉降装置在玻璃衬底上制备AZO薄膜，用XRD、 UV—Vis、AFM、四探针、台阶仪等方法对薄膜进行表征，结果表明，应用液位沉降法制备AZO 薄膜的优化条件为：溶胶浓度为0．5mol／L、A1+／Zn浓度比为4at％、干燥温度100℃、干燥时间 l0min、预处理温度450oC、镀膜层数为20层、液位沉降速度为5em／min、预处理时间为10min、 550oC退火2h，得到薄膜透光率为88％，方块 电阻为536fU口。 关键词：液位沉降法；AZO薄膜；光电性能 PreparationofAZO ThinFilmsbyLevelSedimentationandResearch 0fitsOpticalandElectricalProperties YINTian—lan，GAODe-wen，WUGuang-ming，DINGYao，ZHOUYang (BeijingInstituteofPetrochemicalTechnology，Beijing 102617，China) Abstract：Takingzinc acetate dihydrateasraw materials，ethyleneglycolmonomethyletherand ethanolassolvent， ethanolamineasstabilizer，hexahydratealuminum chlorideasdopant。 synthesized AZO precursorsolution．TheAZO thinfilmswerepreparedonglasssubstratesbyusingserf-made liquidlevelsettlementdevice．Characterizedthefihns byXRD，UV—Vis，AFM，four—probe，stepprofilerandothermethods．Theresultsshowedthattheapplicationlevelsettle— mentoftheoptimalconditionsforpreparationofAZO thinflmswereasfollows：theSolconcentrationwas0．5mol／L．the A1+／Zn“concentrationratiowas4at％，thedryingtemperaturewas100~C for10min，thepretreatmenttemperaturewas 450~C，the coatinglayerswere20layers，thelevelsettlingvelocitywas5cm／min thepretreatmenttimewas10min，an— ， nealedat550℃ for2h．TheAveragetransmittanceinvisiblelightandthesheetresistanceoftheAZO thinfilmswere 88％and536fF口 respectively． Keywords：levelsedimentation；AZO thinfilm；opticalandelectricalproperties 分类号：0484．4