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一般工业技术
维普资讯
第4卷第 6期 纳米加 工工艺 Vo1.4 No.6
2007年 12月 Nano—processingTechnique December2007
3 结语 Dye—sensitizedSolarCellsfJ1.So1.Energy.Mater.So1.
Cells,2007,91,1416—1420.
利用氧脉冲直流反应磁控溅射法在载玻片上 f4】 S.Ohno,Y.Kawaguehi,A.Miyamura,eta1.HighRate
制备了多晶TiO薄膜,该方法能有效消除溅射过 Deposition of Tin —doped Indium Oxide Films by
程中的靶中毒现象,从而大大提高沉积速率。当断 Reactive Magnetron Sputtering with Unipolar Pulsing
氧时间在 30s以上时,薄膜的沉积速率均在 and Plasma Emission Feedback Systems [J].Sci.
Techno1.Adv.Mater.2006,7,56—61.
2.5nm/min以上,而且最大能达到5.5nm/min。沉积
[5】 Y.H.Han,S.J.Jung,J.J.Lee.DepositionofTiO2
速率、晶体结构、表面形貌都很大程度的依赖于氧
FilmsbyReactiveInductivelyCoupledPlasmaAssisted
浓度与断氧时间。沉积速率随氧浓度增加而减小,
DC Magnetron Sputtering for High Crystallinity and
随断氧时间增大而增大。当氧浓度为30%时,沉积 HighDepositionRate[J].Surf.Coat.Techno1.2007,201,
速率随着断氧时间的增大而稳定增加。在氧浓度 5387 .
较低(10%)、断氧时间较大(≥30s),也就是沉积速 [6】 M.Ohring.MaterialsScienceofThinFilms[M].2nd
率较快时,容易形成金红石结构的TiO薄膜,反 edn.,AcademicPress,Singapore,2006,217.
之更易于形成锐钛矿结构。形成金红石和锐钛矿 [7】 M.H.Suhail,G.M.Rao,S.Mohan.DcReactive
MagnetronSputteringofTitanium-structuralandOptical
结构的最佳结晶条件分别是氧浓度 30%、To~=30s
Characterizat
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