半导体光声层析中的电场效应.pdfVIP

维普资讯 垆 字1荨， 6 ， 半导体光声层析中的电场效应 彬稚 方健 文 张淑仪 (南京大学声学酐究所 近代声学国家重点宴验室 南京 ·210093) 1 引 言 式中P(x，f)为PGC密度。 和r分别为PGC的双 光声效应对样品的光学、热学性质差异非常敏 极扩散系数和寿命，S为PGC的表面复合系数。卢为 感．利用光声效应对多层次固体样品进行无损的探度 样品的光吸收系数。 为入射光子能量。为光激发 剖面检测一直是人们重视的课题 多年来已发展了多 量子效率。，．为入射光强，甜为光强调制圆频率。由方 种获取固体深度信息的光声测量方法，并已成功地应 程(1)和 (2)可解得由PGC形成的等离子体波。 用于半导体材料和器件的亚表面检测厦分层成 】0([+cos~t 像 “]。然而在一般的调制频率下，光声效应对某些电 O 学参量的差异却并不十分灵敏b 最近，我们对处于 工作状态的集成电路器件进行了动态光声显微成 ， 像 和分层显微成像0。发现直流电场对半导体中的 光声效应有着重要的作用 。能使样品中一些 电学参量 不均匀的区域固电场作用而得 明显区分 L 对于半导体材料 。由于光生载流子所产生的等离 子体波的存在+使得半导体光声层析的物理机制比一 为 电场强度 ．为辟品厚度 ，{L--1)为PZT厚度 般固体复杂。根据半导体的性质。Zhang_I和Shen 图1 一维理论模型 当调制光入射到存在电场的样品上时，除了等离 等人提出了通过相位选择进行半导体光声层析的一 子体在样品表面和内部通过非辐射复合产生热波外。 维理论模型。Opsa]和Rosecwaig¨也采用一维模型。 等离子体波在电场中侍播j丕将产生Joule热歧。样品 从理论上定性研究了热渡和等离子体波的层析作用。 中的交变温度场T(x，)方程可写为： 然而．当半导体中存在外加电场时．电场的作用使得 样品内热源分布发生了变化 。这种变化与半导体材 n击 a业= +’rr…c…+’^，c…“+… 料本身的性质以夏激励光的调制频率有关。故研究在 电场的作用下。半导体材料的光声层析机理厦不同调 ’ P(∽+云 e‘xp(一肛+j也f．) (3) g／( 带4频率下。电场对具有不同电学参量的半导体光声层 x,t)I … 一SEtP(0。f)} (．)I =0 (4) 口 析的作用是非常有意义的． 式中n、^，分别为样品的热扩散系数和热导率。E为 2 理论模型 外加电场强度，为电子电量，E。为半导体能晾。 和 所采用的理论模型如图1所示。为了简化理论，