PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征.pdfVIP

维普资讯 第 16卷 第 6新 无 机 材 料 学 报 VO】_16．NO．6 2001年 u 月 JournalofInorganicM aterials NOV ．2001 文章编号：1000-324X(2001)06—1169—05 PECVD法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征 丁士进，张庆全 ，张 卫，王季陶 (复旦大学 电子I程系，上海 200433) 摘 要 以正硅酸乙酯 (TEOS)和八氟环丁烷 (C4F8)为原料，采用等离子体增强化学气相淀 积 (PECVD)方法制备了氟碳掺杂的氧化硅薄膜 (SiCOF)．样品的x射线光电子能谱 (XPS)和 傅立叶变换红外光谱 (FTIR]分析表明薄膜中含有 Si-F、Si-O 、C—F、C-CF 、CF2等枸 型．刚淀积的薄膜的折射率约为 1．40 对暴露在空气 中以及在不同温度下退火后薄膜 的折射率