φ5300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟.pdfVIP

维普资讯 第 20卷 第 2期 无 机 材 料 学 报 Vo1．20，No．2 2005年 3月 JournalofInorganicMaterials Mar．，2005 文章编号：1000—324X(2005)02—0453—06 ~300mm的大直径直拉单晶硅勾形磁场下生长的数值模拟 宇慧平 ，隋允康 1，张峰翊2，常新安3，安国平 (1．北京工业大学机电学院，北京100022；2．北京有色金属研究总院，北京100088 3．北京工业大学材料学院，北京100022) 摘 要：直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一，而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感，采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的，因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如 何影响晶体生长的质量的，而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容，为单晶硅的生 长提供有利的指导．本文采用低雷诺数