Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能.pdfVIP

维普资讯 第 16卷 第 3期 无 机 材 料 学 报 Vol 16 No 3 2001年 5月 JournalofInorganicM aterials M ay．2001 文章编号：103(0—324X(2001)03—0491—06 si基多孔 SiO。薄膜 的驻极体性能 张晓青 1WedelA ，BuechtemannA ，夏钟福 ，张冶文 (1 同济大学波耳 固体物理研 宄所 r上海 200092；2 FraunhoferInstituteofApplied PolymerResearch，Geiselbergstrasse69，D一14476Golm．Germany) 摘 要 ：通过控制制备工艺条件和充 电参数 利用相应条件下样品的等温表面 电位衰减，开 路热刺激放 电电流谱等，考察了利用溶胶 一凝腔 (sol—ge1)方法制备的si基多孔 SiO2薄膜的驻 极体性能，分析 了各种工艺参数与薄