KDP晶体柱面生长速率实时测量研究.pdfVIP

维普资讯 第 21卷 第 1期 无 机 材 料 学 报 Vo1．21，No．1 2006年 1月 JournalofInorganicMaterials Jan．，2006 文章编号：1000—324X(2006)01—0022—07 KDP晶体柱面生长速率实时测量研究 刘 冰，王圣来，房 昌水，顾庆天，孙 洵，李毅平 (山东大学晶体材料 国家重点实验室，济南 250100) 摘 要 ：KDP晶体生长速率高精度地实时测量有助于研究各种因素对晶体生长的影响．本文 用激光偏振干涉法实现了对KDP晶体柱面生长速率和死区的实时测量，精度达到0．01#m／rain． 籽晶尺寸等实验条件影响测量的结果，小尺寸 (约 2mnix2mm)的晶体更有利于死区的表征， 溶解阶段造成的晶体表面位错坑是出现干扰测量的 “异常”现象的根源． 关 键 词 ：KDP晶体 ；死区；生长速率 ；实时测量