ITO薄膜的光电子能谱分析.pdfVIP

维普资讯 第 15卷 第 l期 无 机 材 料 学 报 Vol 15．NO 1 2000年 2月 Journ~iofInorganicM ateriMs Feb ，2000 文章编号：CN31—1363(2000)01·0188—05 Ⅱ。薄 光电子能谱分析 陈 猛， 圭壶 白雪冬，黄荣芳，闻立时 f 一＼o＼ (中国科学院金属研 究所，沈阳 110015) 摘 要 ：运用 XPS分析 了 ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况 ．研究表明， 低温直流磁控反应碱射 ITO薄膜遇火前后 sⅡ和 In处于各 自相同的化学状态中．O 两种化 台状态 O 【和 Ou存在 ，其结合能值分别为 52990~030eV和 53140：／：020eV ，分别对应着 氧充足和氧缺乏状态，两者面积之比Ro