磁控溅射制备纳米TiO2薄膜导电性的研究.pdfVIP

维普资讯 第 18卷 第 6期 无 机 材 料 学 报 Vo1．18，No．6 2003年 I1月 JournalofInorganicM aterials Nov．，2003 文章编号：10003·24X(2003)06—1381—04 磁控溅射制备纳米 TiO2薄膜导电性的研 究 顾广瑞 ，v，李英爱 ，陶艳春 2，何 志 1，赵永年 1,2 (1．吉林大学超硬材料 国家重点实验 室，长春 130023；2．吉林大学超分子结构和谱 学开放实验 室，长春 130023；3．延边大学理工 学院，延吉 133002) 摘 要 ：研究了在纳米厚度范 围内，TiO2薄膜 的导 电性与薄膜厚度和基底材料的关系．利 用射频磁控溅射方法，使用高纯 Ti(99．99％)靶，通入 Ar和 02的混合气体，制备了TiO2薄 膜 ，薄膜膜厚 15,,~225nm．在室温下测量 了不同厚度 TiO2薄膜 的电阻率，发现 TiO2薄膜的导 电性，先后在导