改进Sol-Gel法制备Y掺杂BST薄膜表面结构及介电性能研究.pdfVIP

第24卷 第2期 无 机 材 料 学 报 Vo1．24．No．2 2009年3月 JournalofInorganicMaterials Mar．，2009 文章编号 ：1000—324X(2009)02-0387-05 DOI：10．3724／SP．J．1077．2009．00387 改进 Sol-Gel法制备Y掺杂 BST薄膜表面结构及介电性能研究 廖家轩，王洪全，潘笑风，傅向军，张 佳，田忠 (电子科技大学 电子科学技术研究院，成都 610054) 摘 要：通过在溶胶前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮和在底电极 Pt上形成界面仔 晶层，对溶胶一凝胶 (So1．Ge1)法进行了 改进 ，并以此在Pt／Ti／SiO ／Si上制备了钇 (Y)掺杂和非掺杂的Ba0SroTiO (BST)薄膜，研究了薄膜的表面结构和介