纳米GP粉体反射光谱的测量及其分析a.pdfVIP

第22卷，第 3期 光 谱 实 验 室 Vo1．22。No．3 2005年 5月 ChineseJournalofSpectroscopyLaboratory May ，2 0 0 5 纳米GaP粉体反射光谱的测量及其分析 岳龙义① 张兆春 (上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系 上海市I~gZK延长路 149号 200072) 摘 要 通过测量纳米磷化镓(GAP)粉体在紫外可见光波段(200--800nm)的反射光谱，运用三流理论由反射 光谱计算出纳米GaP粉体的吸收系数(Ed)和散射系数(E|)的比值(Ed／E，)。纳米GaP粉体的反射光谱的 形状主要受吸收的影响，即GaP禁带结构的影响。 关键词 纳米粉体，磷化镓。反射光谱，散射系数，吸收系数。 中图分类号：0657．32 文献标识码：A 文章编号：1004—8138(2005)03—0470—03 1 前言 磷化镓(GAP)是一种间接带隙、宽禁带半导体材料。与常规材料相比，其纳米粉体具有独特的 物理和化学性质。由于纳米GaP粉体晶粒的尺寸远远小于紫外一可见光波段的波长，因此当光照射 时会产生散射现象，在光学厚度上(没有透射)的反射光谱是吸收和散射共同作用的结果。通过对反 射光谱的测量和分析，得出吸收系数和散射系数的比值(E／E|)，利用此比值可以对样品进行定量 或定性分析。 目前，对纳米材料的紫外一可见反射光谱的分析多采用Kubelka—Munk二流理论来计算比值 E／E，然而这个理论对散射系数和吸收系数的研究并不符合电磁散射理论(Mie理论)。本文中，我 们采用三流理论来计算纳米GaP粉体的E／E|，并由此分析禁带结构对材料反射光谱的影响。 2 实验部分 2．1 纳米GaP粉体的制备 纳米GaP粉体的制备采用苯热法。将溶有Na。P的苯溶液和GaC1。的苯溶液混合于衬有聚四 氟乙烯管的高压釜内，用高纯N鼓泡后，反应物在 15O~C)JD热条件下进行反应。化学反应方程式 为： Na3P+GaC13一 GaP+3NaC1 (1) 待反应完成后，首先用纯苯对所得产物进行抽滤，再用高纯水抽滤，直到在粉末样品中检测不 出Cl一离子为止。有关制备的详细过程，请参见文献[1]。 纳米GaP粉体平均晶粒的测定采用x一射线衍射线线宽法。首先进行双线校正，然后以粒径足 够大的纯si粉为标准样品进行仪器因子校正，最后根据主要衍射峰的半高宽，利用Scherrer方程 ①联系人，电话l(021E—mail：ylongyi@graduate．shu．edu．crl 作者简介：岳龙义(1981一)，男，山东省泰安市人，在读硕士，主要从事纳米材料的结构与性质研究。 收稿 日期l2004—12—20 光谱实验室 第 22卷 射声子，所以对于间接带隙的位置，反射光谱和荧光光谱差别稍大。在图2中，306nm(4．05eV)的峰 则对应于GaP的E结构，是由A。到A。的跃迁[4]，该数值同常规GaP晶体材料中的3．69eV相比， 发生了0．33eV的蓝移。 纳米粉体材料的反射光谱是吸收和散射共同作用的结果，可是根据对 巴／E曲线的分析可知， E／E曲线仍能体现出禁带结构的特征。没有发现散射对反射光谱形状的影响似乎表明，在紫外一可 见光波段散射作用对不同的波长影响是一致的，也就是说，巴／E|仍然保持了巴的形状。事实上， 根据Mie理论，在吸收峰处散射系数会受吸收的影响而下降，其走向与吸收系数成相反的趋势[5]。 不难看出，吸收越强的波段散射越弱，反之亦然。散射系数变化受制于吸收系数的变化，其变化相对 幅度不会发生远大于吸收系数变化相对幅度的情况，因而E／E 曲线基本保持了E的形状。可见， 在这种光学厚度上的紫外一可见反射光谱测量中，反射光谱的形状主要是受吸收的影响，即GaP禁 带结构的影响，而反射光谱的光强则与散射系数关系更大些。此外，在计算前