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siC的超细研磨工艺研究 胡小芳许丽王爱民 (清华大学材料系糟体工程实验室．北京，100084) 董—曼用高能搅拌磨浸法超细研磨SiC的工艺试验结果表明，通过优化磨机工作参 敦和采用适当的助磨剂，能够较大幅度提高粉磨效率，经济地获得平均粒径Ip的SiC 超细粉． 甚量量SiC超细粉磨，湿法搅拌磨工艺参数 1．前言 在特种结构陶瓷材料中，SiC因其独特的性能获得广泛应用．SiC硬 度大，如何以经济的方式制备平均粒径为lI‘左右的超细SiC一直是粉体 工业界关心的问题．作者探讨了湿法搅拌磨超细粉磨SiC材料的工艺参数 以及在粉磨中的助磨剂的使用．取得了较好的结果．现将有关情况介绍如 下． 2．试验 2．I原辩 SiC：莫式硬度9，比重3．1。无色晶体。原始牲度分布见下衰． tt1 SiC一■t童黼囊 l控虞p o．7 o-，-4．∞ ‘盱 lO．OO— 15．∞一 I 10．00 l矗OQ 埔．∞ 擞I 00 |古-_ 0．00 13．加 住20 11．10 of 仉∞ J 2．2试■方寨 (1)固定参数 研磨介质l 中3m与m4哪备500％! 研磨介质填充事：孤勘 料球比z 2：l(印研磨介质与SiC干科各一半){ 料浆浓度： 60％(10009SiC加水6678水)，料浆静止时的体 积为1．22井．试验用搅拌磨机最大容积为2．1升．故料浆的静止填充量为 58％3 取样间隔2小时，取样时磨内温度约78℃． (2)变化参数 磨机主轴转速t 分别为790、1085和1340转，其中1340转分为 加与不加助磨荆两种方寨； 研磨时间：分别为2．5、4．2、5．4、6．1、8．1、9．1、lO．2小时。 2．3检测方法 使用OMEC激光粒度分析仪分析各方案粉磨后的粒度分布。 3．4试验结果 考察了转速、研磨时间、是否加助磨荆等研磨条件与SiC粉体的‰ 曩1 d町与研■时目关系圈 圈2 Ik与研磨时问关熏■ 和d～的关系。以及lit颗粒的比饲与这些工艺参数的关系，结果分别见 图l、图2和图3。 4．试验结果分析 由上述图裹数据可见。使‰和如下降速度量快盼工艺条件是 1340r／rain加助磨剂．1340r／rain未加助磨剂时研磨lo小时达到如昌o．8。 1340r／rain加助磨剂时研磨7小时达到如卸．8。此外，无论何种条件，在 36 圈3 l-张含量与研瘩时翔关系圈 研磨7小时后再增加研磨时间，效率降低．但超细颗粒从第8个小时后上 升速度较快·因辟可以将提高磨机转速和使用适当的助磨剂作为本试验条 件下工艺撇的探索方向，这也同时与降低研磨消耗的方向相吻合． 参考文■ 1995(1) [1】弹隶帐拳量■n C2)■格柏．硅●量—，Ll●H‘．)：46-51 37 …———————————————可r—————————一 ㈧． sic的超细研磨工艺研究 作者： 王爱民 作者单位： 大学材料系粉体工程实验室(北京) 本文读者也读过(10条) 1. 王德新.王福泉.刘光海