08-09电力电子试卷答案.docVIP

分析简答题 电力电子器件的分类，列举五种。优缺点，大功率硅制约因素？ 答：⑴器件分类：可以分为半控型器件、全控型器件和不可控器件，其中晶闸管为半控型器件；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压型驱动器件；按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件三类。 （2）IGBT优点：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。缺点：开关速度低于电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO。 GTR优点：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低。 缺点：开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。 GTO优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。 缺点：电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。 电力MOSFET优点：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。 缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 晶闸管优点：高电压，大电流，低导通压降；缺点：半控型器件； （3）（自写：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效处理等技术难点）（耐压，电流容量，开关速度）； 全控桥型器件缓冲电路的作用，软开关电路的作用。它们对减少开关损耗的处理有何不同？ 答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，du/dt或过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 软开关的作用：在开关过程前后引入谐振过程，开关开通前电压先降为零，或关断前电流先降为零，就可以消除开关过程中电压、电流的重叠，降低他们的变化率，从而大大减小甚至消除损耗和开关噪声。 对损耗处理的不同： 全控缓冲电路：通过吸收器件的关断过电压和换相过电压、du/dt、开通时的电流过冲、di/dt来减少器件的开关损耗。 软开关：利用以谐振为主的辅助换流手段，通过减少和消除开关损耗和开关噪声来处理。 图参考：P39图1-38b，P171图7-2。 以晶闸管组成的单相交流调压电路带阻感负载，稳态工作时，的正常工作范围？若超过这个范围会怎样？ 单相交流调压电路采用相位控制，即在交流电源的每个周期对输出电压波形进行控制，而不改变频率的电路称为交流调压电路。 阻感负载下α的移相范围为： σ≤≤π（σ为负载的阻抗角，σ=arctan（ωL/R））。 当σαπ时，VT1和VT2的导通角均小于，且α越小，越大；α=σ时，=π。当α继续减小，例如0≤α≤σ的某一时刻触发VT1，则VT1的导通时间将超过π。到wt=π+α时刻触发VT2,负载电流i0尚未过零，VT1仍在导通，VT2不会立即开通。直到i0过零后，如VT2的触发脉冲有足够的宽度而尚未消失，VT2就会触通。因为ασ,VT1提前开通，负载L被过充电，其放电时间也将延长，使得VT1结束导电时刻大于π+σ，并使VT2推迟开通，VT2的导通角当然小于。 （正常调压范围：φαπ；αφ则无法导通，απ则会失控，可能导通不了，因为晶闸管在承受反压时脉冲就已经发生了就会导通不了，但不会损坏器件）。 三相桥式晶闸管变流电流、三相IGBT变流电路，采用SPWM技术整流控制的原理？ 三相IGBT整流： 以单相为例：按照正弦信号波和三角波相比较的方法对PWM整流电路中的V1~V4进行SPWM控制，就可以在交流输入端AB产生一个SPWM波uAB。uAB 中含有和正弦信号波同频率的且幅值成比例的基波分量，以及高次谐波，忽略高次谐波电压使is产生的脉动，这样，当正弦信号波的频率和电源频率相同时is也为与电源频率相同的正弦波。 在us一定的情况下，is的幅值和相位仅由uAB中基波幅值及其与us的相位差来决定。当UAB滞后US的相位为δ.IS和US完全同相位，电路工作在整流状态。 从单相扩展到三相，对电路进行SPWM控制，在桥的交流输入端A、B和C可得SPWM电压，对各项电压按相量图进行控制，就可以使得各相电流ia、ib、ic为正弦波ie和电压相位相同，功率因数近似为1.三相桥式晶闸管调压：调节控制角α角；三相IGBT调压：调制信号幅值即调节输入调压。 画出升压斩波电路的原理图（降压电路的原理图） 升压斩波电路的基本工作原理：假设电路中的电感L值很大，电容C值也很大。当V出于通态时，电源E向电感L充电，充电电流基本恒定为i1,同时电容C上的电压向负载R供电，因C值很大，基本保持输出电压为恒值Uo。设V处于通态的时间为ton，此阶段电感L上积蓄的能量为EI1ton 。当V处于断态时E和L共同向电容C充电并向