DDR2和DDR3介绍.docVIP

DDR II技术简介 前言 随着CPU前端总线带宽的提高和高速局部总线的出现，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。目前处于主流DDR I技术已经发展到极至，受其架构的限制，DDR I的速度已经很难再有所提升，因此各种新的内存解决方案应运而生。其中作为DDR I的正式接班人的DDRⅡ，自推出以来就受到大家的关注。虽然DDR II的规格和产品都已经推出，但面对DDR I以及其它的内存解决方案，DDRⅡ的优势何在？其路在何方呢？ DDRII原理 DDRII是在DDR的基础之上发展而来的，由于DDR架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，所以很快就推出了DDR-Ⅱ。相对来 说，作为DDR的接班人的DDRⅡ在总体仍保留了DDR的大部分特性，相对DDR的设计变动并不大，主要进行了以下几点改进：1、改进针脚设计 虽说DDR-Ⅱ是在DDR的基础之上改进而来的，外观、尺寸上与目前的DDR内存几乎一样，但为了保持较高的数据传输率，适合电气信号的要求， DDR-ⅡDDR的184Pin变为240Pin (注：DDR-II针脚数量有200Pin、 220Pin、240Pin三种，其中240Pin的DDR-Ⅱ将用于桌面PC系列。) 2、更低的工作电压 由于DDR-II内存使用更为先进的制造工艺（DDRII内存将采用0.09微米的制作工艺，其内存容量可以达到1GB到2GB，而随后DDRII内存将 会在制造上进一步提升为更加先进的0.065微米制作工艺，这样DDRII内存的容量可以达到4GB。）和对芯片核心的内部改进，DDRII内存将把工作 电压降到1.8V，这就预示着DDRII内存的功耗和发热量都会在一定程度上得以降低：在533MHz频率下的功耗只有304毫瓦（而DDR在工作电压为 2.5V，在266MHZ下功耗为418毫瓦）。 3、更小的封装 目前DDR内存主要采用TSOP-Ⅱ封装,P-Ⅱ封装将彻底退出内存封装市场，改用更先进的CSP（FBGA）无铅封装技术，它是比TSOP-Ⅱ更为贴近芯片尺寸的封装方法，并且由于在晶圆上就做好了封装布线，在可X性方面可以达到了更高的水平。DDR II将有两种封装形式，如果数据位宽是4bit/8bit，则采用64-ball的FBGA封装，数据位宽是16bit，则采用84-ball的FBGA 封装。 4、更低的延迟时间 在DDR II中，整个内存子系统都重新进行了设计，大大降低了延迟时间，延迟时间介于1.8ns到2.2ns之间（由厂商根据工作频率不同而设定），远低于DDR 的2.9ns。由于延迟时间的降低，从而使DDR2可以达到更高的频率，最高可以达到1GHz以上的有效频率。而DDR由于已经接近了其物理极限，其延迟 时间无法进一步降低，这也是为什么DDR的最大运行频率不能再有效提高的原因之一。 5、采用了4bit Prefect架构 DDR-Ⅱ在DDR的基础上之上新增4位数据预取的特性，这也是DDR II的关键技术之一。现在的DRAM内部都采用了4bank的结构，内存颗粒内部单元我们称之为Cell，它是由一组Memory Cell Array构成，也就是内存单元队列。目前内存颗粒的频率分成三种，一种是DRAM核心频率，一种是时钟频率，还有一种是数据传输率。 在DDR 中，核心频率和时钟频率是一样的，而数据传输率是时钟频率的两倍，关于这点我们都已经非常的清楚了，DDR也就是Double data rating内存可以在每个时钟周期的上升延和下降延传输数据，也就是一个时钟周期可以传输2bit数据，因此DDR 的数据传输率是时钟频率的两倍。以DDR266 SDRAM为例，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是133MHz/133MHz/266Mbps。目前JEDEC标准中的DDR SDRAM的最高标准是DDR400，它的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是200MHz/200MHz/400Mbps。颗粒内部的基本组成单元 Cell的工作频率为200MHz，这个频率再提高会带来稳定性和成本方面的问题。而在DDR II SDRAM中，核心频率和时钟频率已经不一样了，由于DDR II采用了4bit Prefetch技术。Prefetch可以意译为数据预取技术，可以认为是端口数据传输率和内存Cell之间数据读/写之间的倍率，如DDR 为2bit Prefetch，因此DDR 的数据传输率是核心Cell工作频率的两部。DDR II采用了4bit Prefetch架构，也就是它的数据传输率是核心工作频率的四倍。实际上数据先输入到I/O缓冲寄存器，再从I/O寄存器输出。DDR II 400 SDRAM的核心频率/时钟频率/数据传输率分别是100MHz/200MHz/400Mbps。大家要注意的是