100M晶振使用三种晶体的相位噪声比较.docVIP

100M晶振使用三种晶体的相位噪声比较 2010-05-24 20:33:14 作为恒温晶振OCXO或温补晶振TCXO，100MHz是一个常用的频率。从切型和振动模式来看，常用的有以下3种晶体：AT切3次泛音、AT切5次泛音、SC切5次泛音。前一种通常用来制作温补晶振TCXO，后2种用来制作恒温晶振OCXO。这是因为： 1．? AT切晶体在非恒温的情况下，在宽温度范围内（—40~+85）其频率温度变化要小于SC切的晶体，适合于温补晶振。 2．? AT切晶体的频率牵引率较大，适合于温补晶振。 3．? 良好设计的5次泛音的晶体比3次泛音的晶体Q值更高，相噪、老化、稳定度都会更好，更适合做恒温晶振。 为了试验晶体的Q值与相位噪声之间的关系，选择了3种晶体进行试验。 3种晶体如下： A．??? AT切3次泛音，Q值约为50K（UM1封装）。 B．???? AT切5次泛音，Q值约为90K（UM1封装）。 C．??? SC切5次泛音，Q值约为130K（35U封装）。 电路的基本结构相同，但有一些变化。 晶体A没有加恒温电路，电源供电为5V，主振级使用4V的稳压电压。 晶体B恒温到70度附近，电源供电为5V，主振级使用4V的稳压电压。 晶体C恒温到90度附近，电源供电为12V，主振级使用8V的稳压电压。 输出幅度都在9dBm左右。 测试相噪结果如下： ? ? ? 要从理论上来解释这个结果，有些困难甚至有些牵强。不过我还是尝试一下。 先看远端10KHz以外的相噪，晶体C最好，这或许是因为使用了较高的电源电压，因此输出信噪比较好。晶体A与B相比，A的远端相噪较好，这可能是基于以下2点： 1．? 晶体A的电路没有恒温，热噪声较低。 2．? 晶体A是三次泛音晶体，虽然Q值低，但谐振阻抗RS也低，因此主振级输出幅度较大，信噪比提高。 再来看近端10HZ处的相噪，几种晶体没有太大的区别，恒温和非恒温也没有什么区别。一般上理论认为，晶振的相位噪声，近端取决于晶体，远端取决于电路。近端相位噪声正比于晶体Q值的4次方。这点在我的试验中没有得到体现。我认为可能的原因在于： 1.?????? 近端仍旧是电路的噪声在起主要作用，高Q值晶体的效果没有得到发挥。 2.?????? 晶体的有载Q值比空载Q值下降很多，以至于各种晶体的有载Q值差别不大，所以相噪相差不大。 总结来说，在低噪声晶振的设计中，电路是非常重要的环节，振荡电路应该要使晶体的有载Q值不致下降很多，并且电路附加的噪声要足够小。一般性的设计中，不必一味追求晶体的高Q值（对老化率有要求的除外），用低成本的晶体加上设计良好的电路（电路的成本也许只要几元钱）也能得到不错的相位噪声水平。