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化学溶液沉积法制备Pb05Ba05TiO3薄膜的结构及电学性能研究.pdf
第51卷第6期 中山大学学报(自然科学版) V01．51No．6
SUNYATSENINov． 2012
2012年 ACrJlASCIENTIARUMNATURALIUMUNIVERSITATIS
11月
化学溶液沉积法制备Pb0．5Bao．5
Ti03
薄膜的结构及电学性能研究+
陈如麒1，朱贵文2，刘为方34
(1．华南农业大学公共基础课实验教学中心，广东广州510642；
2．广东药学院基础学院，广东广州510006；
3。韩华新能源(启东)有限公司，江苏南通226200
4．中山大学物理科学与工程技术学院∥光电材料与技术国家重点实验室，广东广州510275)
摘
nm。在
钛矿结构，无杂相生成。此外，薄膜表面光滑致密、没有微裂痕．薄膜得至n的晶粒尺寸较小，约为17
700cc1h退火的薄膜有良好的电学特性，在1kHz频率下测量得到的介电常数、损耗因子分别约为265和5％；
kV／
此外，在500kV／cm电场驱动下，薄膜得到的剩余极化(2P，)约为16斗c／cm2，矫顽电场(E。)约为110
cm。这些结果表明，PBT固溶体薄膜有望成为铁电器件的候选材料。
关键词：钛酸铅钡；PBT；介电；铁电；化学溶液沉积法
中图分类号：0484文献标志码：A 文章编号：0529—6579(2012)06—0078—04
．：
StructuralandElectrical of ThinFilm
PropertiesPbo．5Bao．5Ti03 Using
aChemicalSolution Method
Deposition
C腿Ⅳ尺uqil，zHUGMi伽en2，L，u耽咖ngj’4
Basie
of forCommonCourses，Sou呶China
(1．CenterExperim￡ntalTeaching Agrieultural
51
Universitv，Guangzhou0642，China；
2．SchoolofBasic Pha聊aceutical 51
Courses，GuangdongUniVersity，Cuangzhou0006，China；
SolarOne
3．Hanwha Co．，Ltd．，Nantong226200，China；
4．State of Materialsand of and
KeyLabomtoryOptoelectronic Techn0109y∥SchoolPhysicsEngineering，
SunYa
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