半导体／金属薄膜的研究进展.pdfVIP

维普资讯 丢礴参廊 艄 眨 牡／ 1998年 11月 材料保护 凌， 第。卷第期7 几 1 半导体 ／金属薄膜的研究进展 ＼ 郑州市蓑煤炭管理干部学院计算机系(4。5。0。052)陈静k．／堂撇什，l^『／弓 天津大学化工学院(3。0072)张国庆 姚素藉—i孺桐 鲜：c：一 半导体／金属薄膜是膜材料中传统而有生命力的材料，在电 在成棱及生长过程中不同的电子转移机理。 子及微 电子工业、能源、信息科学等顿域中的应用越来越广泛 。 尽管对半导体电沉积理论有了一定的研究，然而由于受到 近年来 ，随着科技的发展，半导体 ／金属薄膜的应用领域已从传统 测试手段的限制，过去人们大多采用电化学方法厦光谱学技术， 电子工业中的晶体管、整流器、欧姆接触，扩展到微电子、太阳能 给出的通常是关于整个电极表面平均化的信息。如果要全面、充 利用、半导体多相催化、光磁记录等领域，而且在众多学科的边缘 分地了解电沉积过程，有必要在微米到原子级水平上，获取基体 上，又出现了许多新的科技生长点。半导体上金属沉积的制备技 和沉积层的结构及形态学上的信息。 术主要是气相生成法和液相生成法两大娄 ]。电沉积这一古老的 Bockris使用扫描隧道显微镜(STM)研究了Pt在p一 上的 制备技术正受到人们的重新认识及开发利用。 电沉积及光电沉积机理，实验结果表明，在电沉积时，铂的晶体成 长占主导地位+而光电沉积的起始阶段 ，成核则 占了主导地位。 l 半导体 ／奎属薄膜 的理论研究 作者认为+这主要是因为电子的转移过 电位在光照下要大于暗 l982年Karlicek 在 HPtCI6、HAuCI{和 NiSO。溶液中使 态情况下的过电位。 用脉冲激光在 InP上实现了PE、Au及Ni的沉积。当擞光强度足 尽管电子显微镜(SEM)和光学显微镜曾经被用于研究基体 够高时，可引起 InP表‘面的热分解，因此在沉积初期形成PtP。 和镀层的形貌，然而SEM 是一个非现场的研究手段，而光学显 Heifer叫和 ~ckrlsit．a3分别研究 了Pb、Cd、Co、AuNi、Pt 微镜则缺乏足够高的分辨率 扫描隧道显微镜(STM)以及相关 在pInP和Pt、Rh、Ru在 lnP上的沉积及光电化学析氢性能。后 技术，如原子力显微镜 (AFM)被公认为是最有价值的检验电极 者的研究指出：厚度为 33Ikm的Pt膜在 210~700am波长内透 形貌的工具，具有原子级的空间分辨率。自其发明以来+已被广 光率为92 。这个膜的几乎透明的特性主要是它的多孔性及微 泛用于进行金属炙电位及过电位沉积的研究。 结构所决定的。 由于半导体 ／电解渡界面的特殊性 ，在金属 ／电解渡界面的 以上的研究表明，半导体上电沉积及光电沉积金属可以通 STM、AFM 研究很少可用于解释半导体 ／电解液界面 基于上述 过控制沉积条件及激光条件来调整薄膜的厚度、组成及结构。 认识，Koinuma_l开展了兀一GaAs的阳极光刻蚀及阴极金属电沉 Jacobs_9则用透射电镜详细研究PdCI溶液中 rio 上 Pd 积过程中表面结构变化的监测，井成功地采用AFM 研究了InSe 的光电沉积，指出Pd沉积层是多孔的，在初期光电沉积速率不 电极在电位循环过程中，以及GaAs电化学刻蚀过程中表面结构 断下降，当Pd层为几个原子层厚时，光 电沉积速率保持恒定，并 的变化，均达到了原子级的分辨率 用一个模型来描述它 。