电子级多晶硅的生产工艺_梁骏吾.pdfVIP

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电子级多晶硅的生产工艺_梁骏吾.pdf

2000 12 Dec.2000 2 12 Engineering Science Vol.2 No.12 院士 论 坛 梁骏吾 (中国科学院半导体研究所, 北京 100083) []  1000 t 。、 、 、 、 、 、 、 、 、 ;、 。。 1000 t/a 。 []  ;;;;    [1] , 。 , , ppb , 12 。 。, 1.2  。 SiHCl3 , 。 SiH- , Cl , , 3 1000t。 100 t 。 100 t/a, 4 000 t/a, Wacker 1 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 [2] 4 200 t/a, Hemlock 6 200 t/a , 。 1.1  , 50 。 , 3m, 。 , 。。 , 。 , , 、 、 、 , : 。 -11 5×10 , , 。 15×10-11 ( 50 ppt , 150 ppt)。1965 30t/a, 1988 5 500 t/a, 2000 26000 t/a, 。 。 []  2000-09-19; 2000-10-23 []   (1933-), , , , 12 : 35  20%~22.5%, 9.6%14%, 2 主要的多晶硅生产技术选择 , 。 , , , 。 , Ca, g Al SiO ;Zn, Al g 10 ∶1, 4 SiCl ; SiHCl 1/10。, SiH 2 3 4 [3] 。, 。 。 2.1 SiCl 10%~20%, 3 ~8 4 SiCl , μm/min。 800℃, 4 , (4 ~ 6 μm/ 40 kW ·h/kg, , min), 2%~10%, SiHCl3 。 SiH , SiH (1200℃), 250 kW ·h/kg,

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