磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究.pdfVIP

磁控溅射制备ITO 薄膜光电性能的研究 马卫红，蔡长龙 （西安工业大学光电工程学院，陕西 西安 710032） 摘 要：采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了 ITO 薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所 制备ITO 薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率，研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参 数对ITO 薄膜光电性能的影响。研究结果表明，制备ITO 薄膜的最佳工艺参数为：溅射气压0.6 Pa, 氧氩 流量比 1:40 ，溅射功率 108 W。采用此工艺参数制备的 ITO 薄膜在可见光区平均透过率为 81.18% ，薄膜 - 3Ω ·cm 。 电阻率为8.9197 × 10 关键词：直流磁控溅射；ITO 薄膜；工艺参数；光电特性 中图分类号:TN304.055 文献标识码:A 文章编号：1002-0322 （2011）06-0018-03 Study of photoelectric