InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究.pdfVIP

第 39卷 　第 4 期 　 　 　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Vo l. 39,No. 4 　 2009年 4 月 　 　 　　　　　　　　　　　　LA SER 　　IN FRARED Ap ril, 2009 　　文章编号 : 100 15078 (2009) 04 04 1104 ·红外材料与器件 · InGaA s探测器制备的 ICP刻蚀方法研究 1, 2 1, 2 1, 2 1, 2 1, 2 1 1