薄膜热敏电阻的研究进展.pdfVIP

堕堕堕苎丛堕塑塑塑堂盟堑盟 薄膜热敏电阻的研究进展 董茂进，陈焘 “州物理研究所．袁阿I挫技术闻家域重点实验窒．忖肃兰州730000 摘要： t子信＆技术的发展对t千元g件提女十 来川溅射的方法，把Nz cr台盘膜镀在(；aAs基底的 型化、集成化的要求．薄膜热教电Ⅲ∞研究受到c-drl的氰化硅涂垲袁师．然后再覆盖一层自旋壤酰弧胺膜．这 重观。本i就薄膜搏敏t阻∞最新发展．包括薄膜* 样就做成r申H武微集成电路(MMICs)、‘。檗酰¨ 敏电m的制备I￡，电ma度系敷、响应时月等作T综胺与电目I层的电极采用Ti／Au溅射得到良好的欧姆 迷；开对秉性基底薄膜热破电Ⅲ、n外探删月薄膜热敏 接触。他们埘接触点电犀1．薄膜电阻(R，)和电阻温度 电m；∞能复台传感3*敏电m等作T舟镕。 系数(TCR)等‘0电阻的制备J艺的关系做了研究。若 关键词：捕敏电阻：薄膜；制备工艺；电阻温度系数： 坚慧获得低电阻值(R、)和离的电阻温度系数(’FCR)． 响应时间 则单片式微集成电路(MMlC)制作过程不能承受多次 中圈分类号