氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响.pdfVIP

V01．28 第28卷增刊 半导体学报 Supplement oF 2007年9月 CHINESEJOURNALSEMICoNDUCTORS Sep．，2007 氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响* 马晓翠1’2’’ 柳文军1’2 朱德亮1’2 曹培江1’2 江宗章1 萧活杰1 (1深圳大学材料学院，深圳518060) (2深圳市特种功能材料重点实验室，深圳518060) 摘要：采用射频(RF)磁控溅射的方法，通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例，在Si(100)衬底上沉积出具有高度 晶状态有明显影响，02／(Ar+02)比约为0．45，薄膜结晶质量较好． 关键词：ZnO薄膜；射频磁控溅射，02／(Ar+02)比；XRD分析 PACC：8115；8140 中图分类号：TN304．055文献标识码：A 文章编号：0253·4177(2007)SO-0160—03 1 引言 3结果与分析 X 利用Philips ZnO薄膜的制备方法多种多样，如溅射、分子 ．束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)等．然而，用这些 ZnO样品的XRD图谱，如图1所示．由图清楚可 方法制备ZnO薄膜，总是存在由于氧不足和Zn富 见，所有样品只有一个对应(002)晶面的衍射峰，其 足引起的缺陷，而正是这些缺陷，不仅影响受激发 射，同时也导致难以制得P型ZnO薄膜[1]．因此，减 由0增加到0．2时，(002)衍射峰强度急剧下降，当 少和控制氧、锌缺陷对改善薄膜光电性能有非常重 R继续增加时，(002)峰强度随尺的增大而增强；当 要的意义．本文采用射频(RF)磁控溅射的方法，在 R大于0．45时，衍射峰强度随尺的增大再度减弱． 硅衬底上制备了ZnO薄膜，并通过改变制备过程中 的02／(Ar+02)比来调控薄膜中氧、锌缺陷浓度． 研究表明，02／(Ar+0：)比对薄膜的结晶质量有明 0．32，0．15，0．10和0．10． 显影响． 2 实验 ZnO薄膜由RF磁控溅射技术制得．ZnO靶直 径为60mm，纯度为99．995％，靶与衬底之间的距 离为70mm．Ar气纯度为99．995％，02气纯度为 99．99％，02／(Ar+02)比变化范围从0到1，Ar和 O。总流速为22sccm．溅射系统本底真空度≤5× 20／(。) 10。5 Pa，溅射过程中气压为0．5Pa，RF功率为 50W，衬底温度由SR53控温仪监测控制．本实验中 XRD图谱退火温度为800℃． 所有样品的沉积时间均为50min，样品厚度由Dek． XRD ofZnOthinfilms at tak3ST轮廓仪测定．样品退火在空气气氛中进行，Fig．1 spectra deposited