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氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响.pdf
V01．28
第28卷增刊 半导体学报 Supplement
oF
2007年9月 CHINESEJOURNALSEMICoNDUCTORS Sep．，2007
氧含量对RF磁控溅射ZnO薄膜结构特性的影响*
马晓翠1’2’’ 柳文军1’2 朱德亮1’2 曹培江1’2 江宗章1 萧活杰1
(1深圳大学材料学院，深圳518060)
(2深圳市特种功能材料重点实验室，深圳518060)
摘要：采用射频(RF)磁控溅射的方法，通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例，在Si(100)衬底上沉积出具有高度
晶状态有明显影响，02／(Ar+02)比约为0．45，薄膜结晶质量较好．
关键词：ZnO薄膜；射频磁控溅射，02／(Ar+02)比；XRD分析
PACC：8115；8140
中图分类号：TN304．055文献标识码：A 文章编号：0253·4177(2007)SO-0160—03
1 引言 3结果与分析
X
利用Philips
ZnO薄膜的制备方法多种多样，如溅射、分子
．束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积
(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)等．然而，用这些
ZnO样品的XRD图谱，如图1所示．由图清楚可
方法制备ZnO薄膜，总是存在由于氧不足和Zn富
见，所有样品只有一个对应(002)晶面的衍射峰，其
足引起的缺陷，而正是这些缺陷，不仅影响受激发
射，同时也导致难以制得P型ZnO薄膜[1]．因此，减
由0增加到0．2时，(002)衍射峰强度急剧下降，当
少和控制氧、锌缺陷对改善薄膜光电性能有非常重
R继续增加时，(002)峰强度随尺的增大而增强；当
要的意义．本文采用射频(RF)磁控溅射的方法，在
R大于0．45时，衍射峰强度随尺的增大再度减弱．
硅衬底上制备了ZnO薄膜，并通过改变制备过程中
的02／(Ar+02)比来调控薄膜中氧、锌缺陷浓度．
研究表明，02／(Ar+0：)比对薄膜的结晶质量有明
0．32，0．15，0．10和0．10．
显影响．
2 实验
ZnO薄膜由RF磁控溅射技术制得．ZnO靶直
径为60mm，纯度为99．995％，靶与衬底之间的距
离为70mm．Ar气纯度为99．995％，02气纯度为
99．99％，02／(Ar+02)比变化范围从0到1，Ar和
O。总流速为22sccm．溅射系统本底真空度≤5×
20／(。)
10。5
Pa，溅射过程中气压为0．5Pa，RF功率为
50W，衬底温度由SR53控温仪监测控制．本实验中
XRD图谱退火温度为800℃．
所有样品的沉积时间均为50min，样品厚度由Dek．
XRD ofZnOthinfilms at
tak3ST轮廓仪测定．样品退火在空气气氛中进行，Fig．1 spectra deposited
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