P型ZnO制备.docVIP

靶材 制备条件 薄膜性质 论文出处 纯度为99.99%的金属Zn靶,银掺杂通过在该金属锌靶上镶嵌细的银丝(纯度99. 99% )来实现 基片为高阻Si (100) ，溅射采用氧气和氩气体积比为1∶1的混合气(总压强3 Pa) ,基片温度300 ℃,溅射功率20 W,生长时间45 min。最后所得样品都在900 ℃氧气氛围中退火1 h。 电阻率约为0. 1Ω·cm,空穴迁移率约36 cm2 /Vs,空穴浓度约1.7 ×1018 cm-3。在低温下观测到了与Ag有关的施主-受主对发射, 计算得受主离化能约110meV 发光学报，2008年4月 用掺入1% K2O Zn陶瓷靶（纯度均为99.99%） 衬底为Si (111)，真空6 ×10-4 Pa ,通入高纯氩气 (99.99 %) 和氧气(99.995 %) ,工作压力为3-5 Pa. 衬底温度和氧分压分别保持在25～500°C 和10%～40%,溅射时间60 min,溅射功率为150 W左右. 当衬底温度在500 ℃、氧分压为30 %时,生长的薄膜呈现出相对较好的结晶质量和电性能. 空穴浓度最高达5.45×1017/ cm3 ,迁移率1.96 cm2 / (V ·s) ,电阻率为5.91Ω ·cm 西安电子科技大学学,2008年2月 以掺有Al 的Zn 片为靶材,Al 和Zn 的纯度均为99.99 % ,靶材中Al 的含量分别为0 ,0.05 ,0.15 ,0.35和1.50wt % 直流反应磁控溅射技术，以玻璃和(100) Si 片为衬底，沉底温度500℃，真空度抽至10- 3 Pa, N2O气体氛围，压强为5Pa，500 ℃, 溅射功率54W(180V ×0．3A) ，生长30min 载流子浓度达到2.52 ×1017 cm- 3 ,电阻率为 57．3Ω·cm. 共掺ZnO 薄膜还具有很好的结 晶性能和光学特性 半导体学报，2005年4月 采用直流P射频双靶共溅射法制备ZnO :Al 膜,靶材选用ZnO 陶瓷靶( 纯度99.99 %) 和Al 靶( 纯度为99.999 %) ZnO 靶采用功率为100 W,Al 靶采用功率为2 W 直流射频磁控溅射,衬底采用石英玻璃,以氩气为溅射气氛,本底真空度为5 ×10 - 4 Pa , 工作气压为0.5 Pa. 溅射时间为3 h, Al 的含量约为0.25 %atom.将制备好的薄膜通过管式热处理炉进行NH3 气氛处理,NH3 流量为0.5 cm3/s ,热处理温度分别为600 ,700和800 ℃, 当热处理温度700 ℃时,薄膜具有良好的c 轴择优取向,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40 —60 nm ,薄膜的导电类型由n 型转变为p 型,电阻率为25.014Ω·cm ,载流子浓度约为8.346 ×1018 cm- 3 ,迁移率为0.0152 cm2/Vs. 物理学报，2008年2月 纯度为99.99 %的ZnO 陶瓷靶. 单晶Si (110) 衬底, 溅射环境为氩气, 压强为2 Pa,时间80 min, 采用多功能离子注入机,对ZnO 薄膜进行N离子注入,注入能量为70keV ,剂量为1016 cm-2.对样品进行快速退火处理,温度控制在500,650,800和950 ℃, 时间分别为1, 3 , 7 和15 min. 退火15 min 时,样品实现了较好的p 型转变,空穴浓度为6.25 ×1014cm-3 ,电阻率为139Ω·cm 物理学报，2007年10月 高纯锌(99.999%) 靶与衬底之间的距离为60mm. 衬底采用玻璃片,衬底温度为200℃.射频源频率为13.56 MHz ,输入功率为50 W. 工作气体为氮气和氩气.本底真空度为10-4Pa , 反应前,先用氩等离子体清洗靶材上的污染物,流量为20cm3/min ,气压为1.2Pa.30min后,通入氮气(20 cm3/min),真空度2 Pa ,溅射时间为30 min. 在Zn3N2薄膜前驱体制备完成后,将本底真空度抽到10-4Pa ,通入高纯氧气对前驱体进行氧化得到ZnO薄膜.氧化温度分别控制在450 ,500 ,550 ℃,真空室的真空度保持在200 Pa. 氧化时间根据实验要求改变. 氧化温度为500 ℃时,氧化时间2 h 可以得到电阻率为0.7Ωcm ,空穴载流子浓度为1017 cm-3的p型ZnO 薄膜. 其在紫外可见光范围内的透过率为85%左右. 在387nm处存在显著的紫外发光峰,而位于520 nm 附近的绿色发光很弱. 物理学报，2007年8月 Inx Zn1 - x( x = 0. 8%,原子分数) 本底真空10-3Pa，工作气体为Ar, N2O, O2，总气压为7Pa，N2O ：(N2O + O2 ) 为0. 73.溅射时间30