半导体器件的材料物理基础.ppt

半导体材料的基本特性参数 基本特性参数 禁带宽度Eg 临界雪崩击穿电场强度Et 介电常数ε 载流子饱和速度Vs 载流子迁移率μ 载流子密度n(p) 少数载流子寿命τ 第一节 迁移率 迁移率的定义 载流子迁移率与器件特性 载流子迁移率的影响因素 载流子迁移率的定义 载流子迁移率μ: 自由载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。 弱电场下，μ为常数； 强电场下，μ随电场增加而减小 载流子迁移率与器件特性 载流子迁移率μ是决定半导体材料电阻率ρ大小的两个重要参数之一。 电流承受能力和载流子迁移率有关 双极器件pn 结二极管为例，在外加电压U作用下，电流密度j满足肖克莱方程 载流子迁移率与扩散系数的关系 爱因斯坦关系 载流子迁移率与器件的工作频率 双极晶体管频率响应特性最重要的限制，是少数载流子渡越基区的时间 载流子迁移率大小的影响因素 散射对载流子的迁移率具有重要影响 主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射等体材料中载流子散射以及表面散射 晶格振动的散射 用电子和声子相互作用来描述。 在轻参杂时，占主导地位。 载流子被晶格散射过程，可以是吸收或发射声学声子，也可以是吸收或发射光学声子。 两个常用的经验公式 电子迁移率： 空穴迁移率： 电离杂质的散射 半导体的杂质，电离后以静电力对运动于附近的电子和空穴产生散射作用。低温重掺杂时起主要作用 完全由电离杂质散射决定载流子迁移率大小时，迁移率与温度和电离杂质的浓度呈下列关系 载流子之间的散射 载流子对载流子的散射是运动着的多个电荷环绕其公共质心的相互散射。 相同极性载流子散射对迁移率没有影响或很小。 相反极性的载流子之间的散射可以使双方动量的弛豫，使迁移率下降。 只考虑载流子散射作用的载流子迁移率： 强电场作用下的载流子散射 弱电场下，μ为常数； 强电场下，μ随电场增加而减小 强电场下载流子漂移速度偏离弱场规律， 主要有两种表现： 速度饱和效应 负微分迁移率现象 迁移率与外场的关系 漂移速度的表示 弱电场下：Vd=uE 强电场下，以声学声子交换能量时： 更强的电场下，以光学声子交换能量时： 速度饱和效应的物理解释： 当电场足够强时，电子在单位时间内能量高，和晶格进行能量交换时发射光学声子，这样载流子能量因发射声子而使其漂移速度趋于饱和。 负微分迁移效应 由于电子的不等价能谷间转移形成的。热电子有主能谷跃迁到能量较高的自能谷，子能谷的迁移率较低，如果迁移电子数量较多，平均的漂移速度会降低。 表面散射及表面迁移率 表面散射：各种与表面相关联的因素对载流子迁移率的附加影响； 越靠近表面，影响越大，对电子影响大于空穴； 第二节 载流子密度和电阻率 材料电阻率和器件特性 载流子数量统计和来源 载流子密度的决定因素 禁带窄化 第二节 载流子密度和电阻率 材料电阻率与器件击穿电压 功率器件的击穿电压主要决定于本底材料电阻率。 功率器件的击穿是指承受反向偏压的pn结的雪崩击穿。 器件击穿 雪崩击穿： 高电压击穿； 条件： 足够高U和适当的WK 器件穿通 若pn结轻参杂层设计的不够宽，以至雪崩击穿尚未发生而空间电荷区已扩展到与电极相接，则器件先于击穿的发生而失去阻断能力。这种现象称为穿通 载流子统计 简并半导体的载流子密度统计 载流子来源 本征载流子： 是指把价带中的一个电子激发到导带，同时产生一个电子和一个空穴 本征激发主要有热激发和光激发 掺杂载流子： 在半导体中掺入具有恰当化合价的杂质原子。 n型掺杂和p型掺杂； 注入载流子：光注入和电注入； 禁带窄化 本征或轻掺杂半导体中，导带、价带、禁带之间界限清晰； 重掺杂（杂质原子百分比≥1/1000）时，会出现禁带窄化效应； 杂质原子近距减小，相互作用增强，能带出现杂化，能级分裂成能带； 问题讨论 载流子饱和速度公式 电阻率与击穿电压的关系 第三节 少数载流子寿命 载流子寿命的概念 少数载流子寿命与器件特性 载流子的复合及复合寿命 载流子寿命的概念 是半导体从载流子密度不平衡状态恢复到热平衡状态的弛豫过程所需时间的量