MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光的研究.pdfVIP

第十一届全国MOCVD学术会议 TheiithNationaIMOCVDConferenceofChina l 杜国同1，2．，夏d＼Jl，赵旺李香萍．朱慧超，马艳，董鑫，张宝林， 梁红伟，赵涧泽孙景昌，李硕石，李长鸣，陈睿姝 1吉林大学集成光电子国家重点实验室电子科学与工程学院长春130012 2大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室物理与光电工程学院大连116023 ZnO基p．n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。我们用MOCVD技术制备了高质量ZnO ZnO和ZnMgO的异质、同质P．n结，并在室温下实现了其电注入发光。 一、p-ZnO／n．GaAs异质结制备及其电注入发光 掺杂的p-ZnO的制备。在室温下测试其电致发光谱，发现发光来源于两部分，紫外及可见区发光来自 于ZnO层，红外区来自于GaAs层，这种现象我们首次发现并报道。 二、n-ZnO／p．GaN异质结电注入发光 电注入发光。这种结构利用ZnO激子束缚能高的优势其发光效率较高，可能成为获得高效蓝、紫光发 光二极管的一种新途径。 三、n-ZnO／p．Si异质结电注入发光 紫、蓝色电致发光。同