PLZT薄膜介电频谱特征的研究.pdfVIP

性能与机理 PLZT薄膜介电频谱特征研究 张超，余大书 天津师范大学物理s电子信息学院．天津300387 摘要：用精密阻抗分析仪(PIA)对PLZT(7／40／60)薄膜进行介电性能测试，测试 其不同频率下电容、损耗，绘制出介电频谱以及Cole．Cole曲线，并与样品击穿 后进行对比，分析结果表明，所制备的PLZT薄膜具有良好的介典性能，弛豫时 间较长。 关键词：PLZT铁电薄膜；介电频谱；弛豫；Cole．Cole曲线 1．引言 镧改性锆钛酸铅薄膜材料(PLZT)，具有很好的光电特性，已被广泛应用在 高技术领域【1捌。不仅如此，PLZT薄膜的介电常数大，已发表的文献【3．5】中报道 了介电常数达到1000以上，相应损耗小于O．1，说明这些薄膜材料可以应用于大 容量电容器中。为了获得影响PLZT薄膜介电常数和介电损耗的结构机制，科学 分析材料的晶粒尺寸和表面与界面结构对材料性能的影响是十分重要的。 目前，介电谱方法已成为分析材料电性能特征的重要手段，通过材料介电参 数介电温谱和介电频谱，结合经典电磁学以及统计物理学理论，分析材料在交变 电场下的响应过程，得到材料的内部信息。 PLZT薄膜用对应溶凝为中间体制备的PLZT(7／40／60)凝胶薄膜为研究对 象，采用英国WK公司的6540A型精密阻抗分析仪(P队)对烧结后的陶瓷薄膜 进行介电参数测试，结合介电频谱理论进行分析。 2．薄膜样品以及实验方法 样品结构为Cu电极／PLZT铁电薄膜／Si片／Cu电极，电极形状为圆形，厚 度为lmm，面积S=3．14ram2。测试电压为10mV交流小信号，采用平板电容器模 型分析。 137 第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 介电性能的测试以及结果分析 1．PLZT薄膜在8MHz范围内电容和损耗与频率关系如下图所示： ^■。 -“”- I一。 D-F●c-N ●^1●” Cf ¨●” ，●‘”’ ●●m” ¨”” 图l电容．频率关系曲线 图2介电损耗．频率曲线 图中电容的图线随着测试频率的增加呈下降趋势，从该曲线的斜率上来看， 下降速度由快逐渐减慢，极大值为1．12X10～oF，而损耗的曲线随频率的增加呈 现先增加然后减小的趋势，在2．59MHz时有极大值小于0．300，另外在7．OOMHz --8．32MHz时，介电损耗在0．1以下，在8．32MHz时介电损耗为在0．015以下， 这样的损耗符合电子产业对于器件的需求【6】。 2．电容．频率曲线与损耗一频率曲线的分析 测试的频率为107Hz以下，属于无线电波的频率范围，可以认为PLZT薄膜 在该频段内的响应是弛豫极化响应。这些响应是内部偶极子取向极化和界面极化 引起的。例如，偶极子间的摩擦阻力，铁电畴界面间的粘滞阻力，表面原子数比 例高等的影响。 极化响应过程可以认为，随着外场频率的增加，在有效的时间内被极化的偶 极子少， 必然材料的介电常数小，由于偶极子之间的作用越来越频繁，介电损 耗就越来越大，当频率过大后，偶极子的运动跟不上电场的变化，此时所对应的 损耗就开始减小。 3．样品的介电谱分析 实际的电介质并非是理想的电容，在交变电场中，电介质内部会产生热量， 根据电介质理论，从宏观的电磁学角度，要采用复介电常数来分析材料对于交变 电场的响应关系【7，8J。通过相对介电常数实部的公式占7=CI／S和虚部的公式 138 性能与机理 D=，Is’，画出实部(s’)、虚部(，)与频率的关系图像，如图所示： Ⅲ矿 ， M妒 妒 ● 圳．‘圳 矿