S波段4W+SiC+MESFET器件研制.pdfVIP

2006年全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会 SiC S波段4W MESFET器件研制 陈刚，柏松，张涛，汪浩，李哲洋，陈雪兰，蒋幼泉 南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家级重点实验室，210016 摘要：本论文介绍了s波段4H—sicMESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能。采用半绝缘衬底的自 主研制的SiC三层外延片，成功制作出单胞lmm栅宽的芯片。经过装架、压丝，未作内匹配，单管器件在S 波段2GHz频率连续波下，输出功率为4．1w，小信号增益大于lOdB，漏极效率rl为35．5％。 关键词：4H碳化硅；金属半导体场效应管；微波；宽禁带半导体 1引言 SiC 和漂移速度、击穿电场等多个方面都具有明显的优势Ⅲ，因此采用SiC材料研制的功率器件也 MESFET的系 越来越受到关注。SiC作为第三代半导体的代表，国外研究已经趋于完善，SiC