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BSNBT系微波陶瓷性能研究.pdf
第36卷第6期 压电与声光 V01.36No.6
Dec.2014
2014年12月 PIEZoELECTRICSACOUST()OPTICS
文章编号:1004—2474(2014)06—0939—03
BSNBT系微波陶瓷性能研究
常 耿,张树人,周晓华
(电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都610054)
摘 要:通过XRD、SEM等技术对Ba4
组成、显微形貌、烧结温度及介电性能进行综合表征和研究。当z一0.45时,在1320℃烧结获得了高介电常数、高
192
品质因数及近似零谐振频率温度系数的最优微波性能.£r一90.22,Q×,一7GHz,o一一1.39“℃一。随着z
增大,即Ba(Nd,Bi)2Ti。012(BNBT)相增加,陶瓷烧结温度从1450℃降低到1300℃,烧结特性也随之改善并得到
实际应用。
关键词:微波介质陶瓷;BaO-Smz03-TiOz;新型钨青铜结构;高介电常数;谐振频率温度系数;品质因数
中图分类号:TN384 文献标识码:A
onthe of Microwave
Ba4[Sml一。(Ndo.8Bio.2)。28/3Til8054
Study Property
Dielectric
Ceramics
CHANG Shuren,ZHOUXiaohua
Geng,ZHANG
ElectronicThinFilmsand ofElectronicScienceand
(StateLab.of
Key IntegratedDevices,University
of 610054,China)
TechnologyChina,Chengdu
Abstract:The and anddielectric ofBa4[Sml一,
compositionmicrostructure,sinteringtemperature properties
characterizedandstudied
ceramicswere XRD,
(Ndo.8Bi02),]z8/3Til8054(z一0.15~o.9)systemcomprehensively by
SEM,etc.Whenz一0.45,excellentdielectric ofa dielectricconstantand coefficientof
propertieshigh temperature
resonant of 0wereobtainedfortheceramicssinteredat1
frequencyapproximately 320℃:£,一90.22,Q×f一
7192 theincr
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