CdSe在高压下的电学性质及相变.pdfVIP

第22卷第1期 高 压 物理学报 V01．22．No．1 2008年3月 CHINESEJoURNALOFHIGHPRESSUREPHYSICS Mar．。2008 文章编号：1000—5773(2008)01—0039—04 CdSe在高压下的电学性质及相变’ 贺春元1’2，高春晓2，李明2，郝爱民2，黄晓伟2，于翠铃2，张冬梅2，王月2，邹广田2 (1．河南理工大学物理化学系，河南焦作454000I 2．吉林大学超硬材料国家重点实验室，吉林长春130012) 摘要：利用在金刚石压砧上集成的微电路，原位测量了CdSe多晶粉末在温度为300～ 450 K、压力达到23GPa时电阻率随温度和压力的变化关系。实验结果表明：在加压过程中， 电阻率在2．6GPa压力时出现的异常改变，对应着CdSe从纤锌矿向岩盐矿结构的转变，而在 6．0、9．8、17．0 GPa等压力处出现的电阻率异常，则是由CdSe中的电子结构的变化所引起的； 在卸压过程中，只在约14．0和3．0GPa压力下观察到了两个电阻率异常点。通过对电阻率随 压力变化曲线的模拟，得出了CdSe高压相的带隙随压力的变化关系，据此预测CdSe金属化 的压力应在70,--,100GPa之间。变温实验结果表明，在实验的温度和压力范围内，CdSe的电 阻率均随温度的增加而升高。 关键词：高压；原位电阻率测量；结构相变；金属化 中图分类号：0521．2 文献标识码：A 1 引 言 硒化镉(CdSe)在常温常压下的带隙为1．7eV，具有较大的非线性光学特性，广泛应用于制作光电 子器件。它通常以两种形式存在：一种是六角的纤锌矿结构，另一种是立方的闪锌矿结构。立方结构一 般以薄层方式存在，而体材料则呈现六角结构。在压力作用下，CdSe首先转变为岩盐矿结构，纤锌矿结 GPa[8]， 构的相变压力为2．5～3．5GPa[1-7](相变压力与晶粒尺寸有关)，闪锌矿结构的相变发生在2．5 相变显示出很大的滞后，释放压力后岩盐相保持到1．7GPa左右。卸压后的CdSe是纤锌矿和闪锌矿 结构的混合相[6]。压力在27GPa左右，CdSe的岩盐矿结构向Cmcm结构转变，在36GPa进一步相变 为扭曲的Cmcm结构，此后直到85GPa都没有新的相变发生[9]。 对CdSe电学性质的研究一直是人们感兴趣的课题，但以前的研究主要集中在CdSe高压相的传导 性的；Tsidilk’kovskii等人[10]认为，在压力达到35GPa时，CdSe在300--,380K温度范围内仍是半导体 的传导特性；Ignatchenko等人[1妇认为，在2050GPa之间，CdSe在77,,400K温度范围内是载流子密 度相当低的简并半导体(半金属)。从光学角度上看，由于有光可以透过，所以可以认为CdSe是非金 粒子计算方法却得到，在相变压力点时，有0．7eV的间接带隙。只有少数人对CdSe在压力作用下电阻 率的变化给出了定性的研究结果[Z,10,12]。随着实验技术的不断发展，定量研究电阻率随压力的变化规律 ·收稿日期：2007—02—26l修回日期：2007-05-28 作者简介t贺春元(1979一)，女，博士，主要从事Ⅱ一Ⅵ族半导体的高压电学性质研究． E-mail：hechunyuanl979@yahoo．corn．cn 通讯作者t高春晓(1959一)，男，博士，教授，博士生导师，主要从事高压电学、高压磁学、薄膜等研究． cn E-mail；cxga0599@yahoo．conL 万方数据 高 压 物 理 学 报 第22卷 成为可能。本工作利用我们发展起来的集成测量微电路的方法，避免了接触电阻和电极形变等的影响，原 位测量了CASe在压力作用下的电阻率变化规律，并结合变温实验，研究了CASe在