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La2O3添加剂对BST陶瓷介电性能的影响.pdf
第34卷 增刊l 稀有金属材料与工程 、bl_34,Suppl.1
2005年 6月 RAREMETALM^TERIALSANDENGlNEER删GJune2005
薛昊,周和平
f清华人学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京io0084)
6sr0
Tj02为原料,采用传统的固相合成方法制备了Bao
格巾。掺杂后的陶瓷晶粒尺寸明显降低。掺杂了La:o:的钛酸锶韧!的介电可调性有所增高。
关键词:钛酸锶钡;La20,;可调性
中图法分类号:TB32l 文献标识码:A 文章编号:1002一185x(2005)s1—0980一03
1 引 言
试分析,通过组装的精密测试电桥测量介电性能的可
铁电材料的介电性能在外加偏置电场F会呈现非 调性。
线性特性,介电常数会随着外加偏置电场的改变而改
3结果与讨论
变。利用这一性质,钛酸锶钡陶瓷在调谐性微波器件
上得到了广泛麻用,例如:相控阵天线移相器、微波 3 1 掺杂对微观结构及组成的影响
过滤器等…。作为应用在可调微波设备E的介质材料, 样品的密度随La203掺杂量的变化如表1所示。
对BsT有以下的性能上的要求:(1)低的介电损耗;
(2)高的介电常数可调性;(3)为了和空间阻抗相匹密度呈现先增大后减小的趋势。
配,合适的介电常数;(4)低的介电性能温度依赖性;
(5)高的抗击穿强度。但是,这几个性能要求之间存 表1 掺La20,的BsT陶瓷的体密度随掺杂量的变化
Tablel The ofBSTmiIedwithd铺kmnt
voJumedensity
在着一定的矛盾性口]。许多物质被作为添加剂对钛酸
conten缸of
La203
锶钡进行改性以提高其作为可调微波材料的性能。对 No l 2 3 4
钛酸锶锁的改性丰要是让改性离子占据其钙钛矿结构 肌a:。,,% 0 1 2 5
的爿位和占位(』口03型)。通过掺杂离子对』位和B 兰!坐!!!型!!:!!! i.!!i !:!!! !:!竺
位的取代,可以改变爿口03型钙钛矿晶格环境,从而
对其介电性能产生影响。本实验研究La”离子的取代
对BST陶瓷微观结构和介电性能的各种影响。
钙钛矿相,没有出现第二相。说明掺杂的La”离子完
2实验内容 全固溶进入BsT的品格内,形成了固溶体。
将原料BaC03,S以03和Ti02按照化学配比进行
混合后,加入乙醇球磨12h,烘干后在1100℃下预烧
得到B806sr04Ti03粉体,之后将La203粉按照O%,
O.5%,2%和5%f摩尔分数,下同1进行掺杂。二次混的离子半径和Ba,sr离子的比较接近,所以更容易取
代爿位离子,所以在烧结过程中会存在以下的缺陷反
合后再球磨loh,烘干后,加入PvB进行造粒,干压
应:
成型后在1400℃下烧结,保温3h。
通过xRD对不同La20,掺杂最的BsT陶瓷进行
La20
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