La_(1-x)Sr_xMnO_3电极的制备及其对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜介电性能的影响.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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La_(1-x)Sr_xMnO_3电极的制备及其对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜介电性能的影响.pdf

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La_(1-x)Sr_xMnO_3电极的制备及其对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜介电性能的影响.pdf

39卷第1期人工晶体学报 v。1．39No．1 CRYSTALS OFSYNTHETIC 2010年2月 JOURNAL February，20lQ— Mn03电极的制备及其对 Lal一xSL Ti03薄膜介电性能的影响 Bal一工Srx 辛立强，付兴华，于玲君，崔永涛 (济南大学材料学院，济南250022) 形貌、薄膜厚度进行了表征，研究了退火温度对薄膜结构及电阻率的影响，以及介电常数与介电损耗随频率变化的关系。结果表明：在菇=O．5，退火温度为800oC时，讽，Sro．5Mn03薄膜的电阻率为1．2×10。n·cm。‰5Sro5Mn03薄的改善。关键词：溶胶—凝胶技术；LahSrxMn03电极；BahSrxTi03；外延生长；介电性能中图分类号：04“ 文献标识码：A andInfluenceon of ElectrodeMaterial Preparation Lal一工SrjMn03 Performanceof ThinFilm Dielectric Bal一童SrjTi03 XIN Yong·tao Li—qiang，FU瓤愕一hua，阳Ling-jun，CUI ofMaterialsScienceand (School Ensincering，Univers时ofJinan，Jinan250022，China) 24 15 (ReceitcdJune2009，acceptedDecember2009) materialw够fabricatedon electrode Si(100)substratebySol·gelprocess．The Abstract：Lal一，钆Mn03 films characterizedXRDandSEM．The andthicknessofthin were structure，surface by crystal appearance effectof on dielectricconstantandloss temperaturestructure，electricresistivity，the dependence annealing showthat lowestelectric of is1．2x10。2 of werestudied．neresults the resistivityLal一。Sr,Mn03 frequency inthecondition at thinfilmOil Q·cm