SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究.pdfVIP

第27卷第4期 电 子显微学报 V01．27。N0．4 2008年8月 ofChineseElectron 2008—08 Journal Society Microscopy 文章编号：1000．6281(2008)04．0261—05 Sn02掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究 王朋伟，单旭东，章新政，俞大鹏’ (北京大学物理学院，介观物理国家重点实验室，电子显微镜实验室，北京100871) 摘 要：用化学气相沉积法在管式炉中制备了sn02掺Ag纳米线。纳米线直径约50舢，长几十微米。通过XRD、 浓度约为I．8at．％，室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰。 关键词：Sn％纳米线；掺杂；制备；结构；发光 文献标识码：A 中图分类号：TN304．2+4；0782+．7；0472+．3；TGll5．21+5．3 Sn02是一种重要的n型金属氧化物半导体，禁在酒精中超声清洗，然后紧挨着Sn源放在石英舟的 带宽度在室温下为3．6eV，由于在导电玻璃、平面显 下游。将盛有sn源和收集衬底的石英舟放入管式 示器、气敏传感器、发光二极管等方面的应用而备受 炉石英管的中部，封闭系统。先用机械泵将石英管 人们的关注¨引。SnO：作为一种气敏材料，具有灵 内部抽成真空，然后用Ar气清洗，如此反复3次，以 敏度高、敏感气体种类多、寿命长等特点，因而在众 排除管内的空气。设置升温程序，在50rain内使系 多的金属氧化物半导体材料中成为目前应用最广泛 统从室温升至8506C，并通入80sccm的氩气作为载 sccm 8ccm氩气和20 的半导体气敏材料之一。但是，SnO，气敏器件在应 气。升至85012后，气流变为60 用上由于自身性质的制约还存在一定的不足，如只 的氩氧混合气(体积比Ar：O：=95：5)，在此温度下 MPa左 能在高温下工作，灵敏度有待进一步提高。为了提 保持120min。保温阶段压强控制在0．02 右。保温结束后，气流恢复到80$ccm的氩气，自然 高SnO：的性能，常用的方法就是在SnO：中掺杂一 些其它元素。有文献报道㈦，在SnO，薄膜中掺入 降温。当系统降至室温时，取出石英舟，在衬底上可 观察到白色绒毛状的产物。 Ag后，室温下对探测H2S和H2的灵敏度都有很大 的提高。与薄膜相比，一维纳米材料具有更大的比 2 结果与讨论 表面积，因而具有更高的灵敏度和更短的响应时间。 2·1 SEM和XRD表征 已经有很多研究小组制备了SnO，纳米线、纳米 图1a为样品的SEM像。从图中可以看出，整 管【6’，1及掺杂的SnO：纳米线旧引，但掺杂Ag的SnO： 纳米线尚未见报道。 个收集衬底都被■层厚厚的纳米线所覆盖。纳米线 的表面很光滑，直径约50 nm)，长度 本文用化学气相沉积(cvD)法在管式炉中制备