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第十一章双极型晶体管原理 • 11-1，双极晶体管直流特性 – 一，晶体管概述 – 二，直流特性和电流增益 – 三，反向电流 – 四，击穿电压 – 五，基极电阻 • 11-2，双极晶体管频率、功率特性 • 11-3，双极晶体管噪声、开关特性 前言， 1 第八章双极型晶体管原理 • 参考书： • 双极型与MOS半导体器件原理 • 黄均鼎 汤庭鳌编著 • 复旦大学出版社 • 晶体管原理 • 半导体器件电子学（英文版） • 美国，R.M.Warner, • 电子工业出版社 前言， 2 11-1，双极晶体管直流特性 • 一，晶体管概述 • 二，直流特性和电流增益 • 三，反向电流 • 四，击穿电压 • 五，基极电阻 前言 3 11-1，一，晶体管概述：1基本结构 • 1基本结构 • 2放大作用 • 3晶体管内 载流子的传 输及电流放 大系数 • 4晶体管的 输入和输出 特性 前言 4 11-1，2放大作用 • 晶体管具有放大作用 是由于： – (1)基区宽度很小，即 从发射区注入到基区 的载流子绝大部分可 到达集电区； – (2)发射结正偏，不仅 使结电阻很小，而且 基区中存在着大量由 发射区注入的少数载 流子； – (3)集电结反偏，结电 阻很大。 前言 5 11-1，3.晶体管内载流子的传输及电流放 大系数 前言 6 *直流共基极电流放大系数 I 直流共基极电流放大系数的 α C I 定义为 B 按照图3-4所示的输运过程，α由以下三个因子组成： 式中γ称为发射效率，也称注射比，它表示 ∗ ∗ α γβα 注入到基区的电子电流与发射极总电流之比， β*称为基区输运系数，α*称为集电区倍增 因子 J J 1 nE nE γ J J +J 1+J J E nE pE pE nE