W掺杂SiO2介孔材料的制备与表征.pdfVIP

下载本文档

9
0
约 7页
2015-09-02 发布于湖北
举报
版权申诉

W掺杂SiO2介孔材料的制备与表征.pdf

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

W掺杂SiO2介孔材料的制备与表征.pdf

Huaxue 物理化学学报(Wuli Xuebao) 1760 Acta November Phys．一Chim．Sin．，2007，23(11)：1760-1764 [Article】 W掺杂Si02介孔材料的制备与表征苏赵辉12 陈启元1，’ 李洁，刘士军1 (·中南大学化学化工学院，长沙410083；z中国铝业郑州研究院，郑州450041) 摘要：附一脱附等表征手段，考察了随着w含量增加，w．si02介孔材料结构的变化规律以及钨物种在材料中的存在状态．结果表明，当w03含量w(WO。)约为10％时，w．sj02中的钨物种是高度分散进入介孔骨架，形成w—0-si键；保持很好的介孔孔道结构，更高含量WO。掺人将破坏二氧化硅介孔结构．关键词：介孔材料；三氧化钨；二氧化硅；模板自组装中图分类号：0647 and of Silicon Characterization Preparation Mesoporous Dioxidewith DopedTungsten SUZhao—Huil二CHEN Jiel LIUShi—Junl Qi·Yuanl·‘LI f1School andChemical South University,Changsha410083,P尼China； ofChemistry Engineering,Central Institute Research 450041，PR．China) 叨nengzhou ofCHALCO,Zhengzhou dioxidematerialswith were Abstract： silicon Mesopomus dopedtungstensynthesizedbyhydrothermaltechnique， nomomcsurfactantblock silicate(TEOS)as and employing copolymer(P123)astemplate，ethyl inorganicprecursor thesourceof methodssuch sodium asⅪ①，职TEM，EDX，Fr一瓜 tungstate(Na2W04·2H20)astungsten．Several and isothermswere tOcharacterizethestructureofthe adsorption—desorption W-dopedSi02 nitrogen employed tllestate