XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性.pdf

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XPS研究N-Al共掺p型ZnO薄膜的传导特性.pdf

第40卷第5期人工晶体学报 v01．40N。．5 垫!!生!Q旦』Q堕曼盟些Q!墨羔坠婴垦旦垦鱼曼!坠堕．，——!Q尘丝垡塑兰一张子才1，于威2，张坤1，滕晓云2，傅广生2 (1．河北大学工商学院，保定071002；2．河北大学物理科学与技术学院，保定071002) 摘要：采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术，在a-AI：0，衬底上制备了N-A1共掺ZnO薄膜样品。Hall测量表明室温下ZnAIO：N薄膜为n型传导，在0：等离子体气氛中550℃退火后变为P型。P型ZnO薄膜的载流子浓度为 2．1×1016 cm。，霍尔迁移率为5cm2／V·s。用x射线光电子能谱仪(xPs)对退火前后的ZnO薄膜进行了各元素的化代O位形成的(N：)。。退火后ZnAIO：N薄膜中(N。)。缺陷减少，(N)。缺陷浓度占优导致了薄膜传导类型转变。关键词：ZnO薄膜；XPS；(N)。缺陷中图分类号：0484 文献标识码：A ofN·-AI FilmsXPS ConductionCharacteristics CodopingP·-ZnO by ZHANG Zi—cail，YUWei2，ZHANGKunl，TENGXiao—yun2，FU Guang．shen92 (1．Industrial＆Commercial College，HebeiUniversity，Baodin9071002，China； of Science＆Technology，HebeiUniversity，Baoding071002，China) 2．CollegePhysics 28 201 8 201 (Received August1) February1，accepted ZnAlO：Nfilmswas substratesthe of Abstract：The on仅-A1203 by techniquehelicon—wave—plasma prepared assisted ZnAlO：Nfilmbehavedconductionatroom sputteringdeposition．Theas—grown n-type temperture． afterannealedat550℃inan flow．The ZnAIO：Nfilm buttransformedinto conduction 02 p-type p-type hasaholeconcentrationof2．1X1016cm。andaHall of5 mobilitycm2／V·S．X—raypho止oelecn．