一维硅氧线的水热法制备及光致发光.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 V01．28No．7 2007年7月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCTORS July，2007 一维硅氧线的水热法制备及光致发光* 李小祥 唐元洪’ 林良武 李甲林 (湖南大学材料科学与工程学院，长沙410082) 摘要：以SiO粉末为原料，采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线，并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子 (EDS)定量分析了该一维材料的成分，表明该纳米线由硅和氧两种元素组成．荧光光谱法测试了硅氧线的发光光 谱，表明在426和446nm处有较强的发光．通过不同条件下的对比实验得到制备该纳米线的最佳条件，同时根据实 验结果提出了该方法制备硅氧线的生长机理． 关键词：水热法；硅氧线；PL光谱；生长机理 EEACC：0510 中图分类号：TN252 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)07-1083—05 讨论． 1 引言 2 实验 氧化硅作为绝缘层在集成电路中被广泛应用， 人们对它的发光性能做了大量的研究．氧化硅的光 实验采用的设备是由大连自控设备厂生产的 致发光能隙在1．9～4．3eV(650～290nm)之间，具 有较宽的发光范围，是一种比较好发光材料，在发光 器件的制备中具有很大的应用潜力．由于纳米材料 具有许多特有的物理和化学性质，因而氧化硅的一 原料和蒸馏水置于反应釜中，并保持反应釜的填充 维纳米结构受到了广泛关注，现在对氧化硅一维纳 度为5％，密封后设置保持温度、加热电压和搅拌速 21． 米结构的研究主要包括纳米管[1盘1和纳米线[3~1 在所看到的文献中，制备氧化硅纳米线的方法主要 一段时间后自然冷却至室温．反应完成后，在反应釜 有以下几种：激光烧蚀法[3]，溶胶一凝胶模板法[4]，热的釜盖上收集到白色的絮状物，制备试样进行 蒸发法[5~73和化学气相沉积法[8脚等．激光烧蚀、热XRD，SEM，TEM，PL等测试． 蒸发、化学气相沉积等方法都需要比较高的温度，绝 大部分反应温度介于900～1300℃之间．模板法制 备硅氧线所需的温度虽然较低，但是所制得的氧化 硅纳米线的长度和直径都受到模板的限制，且表面 及附在扫描电镜上的牛津x射线能谱仪等． 比较粗糙．而且现在硅氧线的制备大多数应用了各 种催化剂，比如Fe[5]，Sn[10]，Fe．Co．Ni[引，应用最多 3结果与讨论 的是金属Ga[6’8’9’11’12]，这给纳米线的纯度和性能测 试带来了一定的负面影响．文中，采用水热法在较低 图1是研制样品的SEM照片，从图中可以看 的温度下成功地制备出氧化硅线，并且在实验过程 出，水热法研制的硅氧线直径范围在100～200nm， 中没有添加任何催化剂．采用扫描电子显微镜 大多数直径接近200nm，尺寸分布比较均匀，表面 (SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察了所得硅氧 较光滑，长度可以达到几个到几十个微米．图中还可 线的形貌，X射线能谱仪(EDS)定量分析了该材料以看到少量的颗粒，可能是没有反应完全的原料．图 的成份组成，荧光光谱测试该材料的发光性能，并 对制备硅氧线的最佳条件及其生长机理作了详细的 线中Si和。元素的原子数比是1：1．16，与文献 *教育部新世纪优秀人才基金资助项目(批准号：NCET-04．0773) t通信作者．Email：yhtang@hun．ca 2006-12．22收到，2007—02-28定稿 ⑥2007中国电子