准低烧结温度条件下制备的高磁导率NiZn铁氧体.pdfVIP

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准低烧结温度条件下制备的高磁导率NiZn铁氧体.pdf

胡军等;准低烧结温度条件下制备的高磁导率Nizn铁氧体 准低烧结温度条件下制备的高磁导率NiZn铁氧体。 胡 军2,严 密1,包大新2,张文勇1 (1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027; 2.东阳磁性材料企业集团有限公司中央研究所,浙江东阳322118) 摘 要: 通过减小原材料粒度和在主配方中添加适 2试验材料和方法 量Cuo,显著降低了NiZn铁氧体样品的烧结温度,在 930℃低烧结温度条件下制备的NiZn铁氧体样品的晶 样品的组成分子式为(N“,Zm.63 粒更完整,组织更致密,使得材料的初始磁导率 首先将称好的原料放人球磨机中,加入等质量的去离 1500。与传统工艺条件下制备的磁导率相当的NiZn 铁氧体相比,本文中使用较低的Ni0含量、预烧温度 和烧结温度,制备的NiZn铁氧体具有更好的性能和较好的浆料烘干,并在750℃下预烧2h。然后将预烧料 低的生产成本。 放人行星磨中,加水球磨8h,直到粉料的平均粒度 关键词: NiZn铁氧体;烧结温度;低损耗;高磁导率 中图分类号: TB32;0482 文献标识码:A 文章编号:1001—9731(2005106一0853一03 好的环放入炉内烧结,烧结温度930℃,保温3h。 同时采用传统成分和工艺[2’33制备高磁导率的 1 引 言 高磁导率NiZn铁氧体由于具有更宽的工作频率O;,预烧温度为1050℃,预烧料球磨后的平均粒度为 范围,因此是数字电视网络系统中的宽带射频电子元 1.5“m左右,烧结温度为1200℃,保温时间也为3h。 器件的重要原材料,并一直都是NiZn铁氧体材料研发 烧结样品的密度采用浮力法测量,磁性能的测试 的热点。但传统的NiZn铁氧体材料的制备工艺存在 着烧结温度过高的缺点,一般均在1100℃以上。过高 的烧结温度容易导致晶粒异常长大,晶粒变得不均匀, 构分析。 导致损耗和温度特性恶化。而且过高的烧结温度对烧 3结果和讨论 结炉的设计制造要求也高,能源消耗大,不利于环保和 降低成本[1~3]。为了降低NiZn铁氧体材料的烧结温3.1磁性能的测试 度,国内外在调整成份和改进工艺两个方面开展了大 量的工作[4~6],最终开发出了低温共烧技术,其烧结温结试样的密度、初始磁导率和比损耗系数。从表1的 度已经低于900℃,正被广泛地应用于片式电感的生 产中[7~9]。但由于低温共烧工艺采用大量的Cu0替 代NiO,降低了饱和磁化强度Ms,使得制备的Nizn铁试频率下,虽然两者有相当的初始磁导率,但在100和 氧体材料磁导率(阳)普遍低于1500[1“11],因此还无法 完全取代传统工艺,尤其在制备高磁导率Nizn铁氧体系数远低于传统工艺烧结的。 方面。 表1 相对于传统NiZn铁氧体材料的1loo℃以上和低 铁氧体的性能 Table1 The ofNiZnferritsinteredat 温共烧900℃以下的烧结温度,900~1000℃范围可以 properties 930℃and 称为准低温烧结。 1200℃respectively 本文通过调整主配方中的CuO含量和原材料的 烧结温度 密度 起始磁导率 比损耗系数(tg∥朋) (℃) (频率:10kHz)lOOkHz500kHz 粒度,在准低烧结温度930℃下成功制备出了口;

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