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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
January Acta Phys. Chim. Sin., 2007, 23(1) ：111-115 111
[Note]
见光响应Bi WO 薄膜的制备与光电化学性能
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张士成2,* 姚文清1 朱永法1,* 施利毅3
(1 华大学化学系, 北京 100084; 2 复旦大学环境科学与工程系, 上海 200433;
3 上海大学纳米科学与技术研究中心, 上海 200444)
摘要: 采用非晶态配合物 提拉法在ITO 导电玻璃基底上制备得到Bi WO 薄膜. 采用FE SEM 、XRD 、Raman 、
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、
DRS、光电流响应谱 IPCE 等手段, 研究了Bi WO 薄膜的形貌、结构、光电性能以及薄膜结构与光电性能的关系.
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结果表明, 450 益以上煅烧可以得到Bi WO 结晶薄膜, 薄膜由沿(131)晶面趋向生长的Bi WO 纳米颗粒组成, 颗
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粒的粒度随煅烧温度的升高而增大, 同时颗粒之间的间距也相应增大. ITO/Bi WO 薄膜电极在可见光( 400
2 6
nm)照射下可以产生光电流, 光电流强度与光强度线性相关; 光电流强度和光电转换量子效率受Bi WO 薄膜结
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构的影响, 通过控制薄膜的煅烧温度等制备条件, 可以提高薄膜光电极的光电转换量子效率
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